| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| ·前言 | 第13-14页 |
| ·SiC 基本结构及其制备 | 第14-17页 |
| ·SiC 的基本结构 | 第14-15页 |
| ·SiC 陶瓷的制备方法 | 第15-17页 |
| ·再结晶碳化硅(RSiC)的研究进展 | 第17-20页 |
| ·RSiC 的烧成机理 | 第17页 |
| ·RSiC 材料的性能特点 | 第17-18页 |
| ·RSiC 材料的研究进展 | 第18-20页 |
| ·二硅化钼(MoSi_2)材料的基本性质及其应用 | 第20-23页 |
| ·MoSi_2-SiC 复合材料的的研究现状 | 第23-24页 |
| ·本论文研究的目的及内容 | 第24-26页 |
| ·研究目的 | 第24-25页 |
| ·研究内容 | 第25-26页 |
| 第二章 原料、制备工艺、表征方法及实验设备 | 第26-33页 |
| ·实验原料 | 第26页 |
| ·试样的制备工艺 | 第26-28页 |
| ·直接添加法制备MoSi_2-RSiC 复相陶瓷 | 第26-27页 |
| ·PIP-高温熔渗法制备MoSi_2-RSiC 复相陶瓷 | 第27-28页 |
| ·实验所用主要设备 | 第28-29页 |
| ·性能检测与表征方法 | 第29-33页 |
| ·粒度分析 | 第29-30页 |
| ·表观气孔率及体积密度测试 | 第30页 |
| ·电阻率测试 | 第30页 |
| ·抗弯强度测试 | 第30-31页 |
| ·抗氧化性能的测试 | 第31页 |
| ·微观结构表征 | 第31页 |
| ·试样成份分析（XRD 衍射） | 第31-32页 |
| ·热分析 | 第32-33页 |
| 第三章 直接添加法制备MoSi_2-RSiC 复相陶瓷 | 第33-56页 |
| ·前言 | 第33-34页 |
| ·MoSi_2-RSiC 配方和制备工艺的优化 | 第34-36页 |
| ·成型工艺的确定 | 第34-36页 |
| ·结果分析 | 第36-55页 |
| ·复相陶瓷的物相组成 | 第36-37页 |
| ·MoSi_2 添加对MoSi_2-RSiC 力学性能的影响 | 第37-40页 |
| ·MoSi_2 的添加对RSiC 微观形貌的影响 | 第40-44页 |
| ·MoSi_2 添加对MoSi_2-RSiC 力学性能影响的机理分析 | 第44-45页 |
| ·MoSi_2 添加对MoSi_2-RSiC 高温抗氧化性能的影响 | 第45-52页 |
| ·MoSi_2 添加对RSiC 体积电阻率的影响 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 PIP -高温熔渗MoSi_2法制备对MoSi_2-RSiC 复相陶瓷 | 第56-68页 |
| ·前言 | 第56页 |
| ·实验结果分析 | 第56-66页 |
| ·PCS 裂解工艺 | 第56-58页 |
| ·PIP 工艺对RSiC 显微结构的影响 | 第58-62页 |
| ·熔渗MoSi_2 后MoSi_2-RSiC 复相陶瓷的微观形貌 | 第62-65页 |
| ·熔渗MoSi_2 对RSiC 电阻率的影响 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
