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近阈值时序电路设计

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
引言第11-12页
1 绪论第12-19页
   ·功耗第12-15页
   ·能耗第15-16页
   ·延时第16页
   ·功耗延时积第16-17页
   ·能耗延时积第17页
   ·本文研究内容及安排第17-19页
2 传统 CMOS 电路功耗减小技术第19-26页
   ·充放电功耗减小技术第19-23页
     ·电路结构和器件尺寸优化技术第19-20页
     ·降低电源电压技术第20-21页
     ·绝热电路第21-22页
     ·门控时钟技术第22页
     ·动态电压调节技术第22-23页
   ·漏功耗减小技术第23-25页
     ·双阈值技术第23页
     ·沟道长度调制技术第23-24页
     ·晶体管堆垛技术第24页
     ·P 型逻辑 CMOS 技术第24页
     ·功控休眠技术第24-25页
     ·输入矢量控制技术第25页
     ·可变阈值技术第25页
   ·本章小节第25-26页
3 传统 CMOS 触发器第26-35页
   ·锁存器第26页
   ·边沿触发器第26-29页
     ·传输门逻辑 D 触发器第26-27页
     ·钟控 CMOS 逻辑 D 触发器第27-28页
     ·有比 CMOS 逻辑 D 触发器第28-29页
   ·灵敏放大器型 D 触发器第29-31页
   ·脉冲型触发器第31-33页
     ·混合锁存型 D 触发器第31-32页
     ·半动态型 D 触发器第32-33页
   ·PAL-2N 触发器第33-34页
   ·本章小节第34-35页
4 基于近阈值的低漏功耗触发器设计及应用第35-55页
   ·仿真平台和采用的设计工艺第35-36页
   ·近阈值的低漏功耗触发器设计第36-40页
     ·基于双阈值技术的传输门 D 触发器第36-37页
     ·基于沟道长度调制技术的传输门 D 触发器第37页
     ·无反馈双阈值传输门 D 触发器第37-38页
     ·性能比较第38-40页
   ·提出的功控有比 CMOS 逻辑 D 触发器第40-45页
     ·电路结构和工作原理第40-42页
     ·性能比较第42-45页
   ·提出的脉冲型有比 CMOS 逻辑 D 触发器第45-50页
     ·电路结构和工作原理第45-46页
     ·性能比较第46-50页
   ·时序电路的应用第50-54页
     ·D 触发器在模 10 计数器的应用第50-52页
     ·D 触发器在模 5 计数器的应用第52-54页
   ·本章小节第54-55页
5 触发器标准单元及时序电路的应用第55-73页
   ·异步带置位、复位功能 D 触发器——SMIC130nm 标准单元第55-56页
   ·异步带置位、复位功能的脉冲型 D 触发器标准单元的构建第56-64页
     ·电路设计第57-58页
     ·版图设计第58-59页
     ·版图抽取第59-60页
     ·单元表征第60-64页
   ·基于标准单元的时序电路设计第64-72页
     ·行为级代码第66页
     ·电路综合第66-69页
     ·门级网表第69页
     ·自动布局布线第69-72页
   ·本章小节第72-73页
6 结论第73-74页
参考文献第74-78页
附录A 各类触发器尺寸第78-79页
附录B 8bit 序列信号发生电路Verilog 代码第79-80页
附录C 8bit 序列信号发生电路门级代码第80-81页
在学研究成果第81-83页
致谢第83页

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