化学气相合成六方氮化硼薄膜：生长、结构与性质
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| ·六方氮化硼的结构、性质及应用 | 第10-14页 |
| ·六方氮化硼的结构与性质 | 第10-13页 |
| ·六方氮化硼的应用 | 第13-14页 |
| ·六方氮化硼薄膜的制备方法 | 第14-19页 |
| ·六方氮化硼薄膜的化学气相沉积 | 第14-17页 |
| ·六方氮化硼薄膜的物理气相沉积 | 第17-19页 |
| ·氮化硼薄膜的研究现状和存在的问题 | 第19-21页 |
| ·本论文的选题与研究内容 | 第21-22页 |
| 第2章 实验与表征 | 第22-31页 |
| ·微波等离子体化学气相沉积系统 | 第22-25页 |
| ·MPCVD系统简介 | 第22-23页 |
| ·MPCVD技术的原理与特点 | 第23-25页 |
| ·六方氮化硼薄膜的制备 | 第25-27页 |
| ·衬底材料的选择 | 第25页 |
| ·衬底的预处理 | 第25-26页 |
| ·样品的制备 | 第26-27页 |
| ·六方氮化硼薄膜的表征 | 第27-31页 |
| ·傅立叶红外光谱(FTIR) | 第27-28页 |
| ·拉曼光谱分析(Raman) | 第28-29页 |
| ·扫描电子显微形貌分析(SEM) | 第29-30页 |
| ·透射电子显微分析(TEM) | 第30-31页 |
| 第3章 沉积参数对六方氮化硼薄膜生长的影响 | 第31-51页 |
| ·衬底材料预处理对氮化硼薄膜沉积的影响 | 第31-32页 |
| ·气源组分对氮化硼薄膜沉积的影响 | 第32-43页 |
| ·BF_3流量为45sccm时H_2流量的影响 | 第33-35页 |
| ·BF_3流量为40sccm时H_2流量的影响 | 第35-37页 |
| ·BF_3流量为30sccm时H_2流量的影响 | 第37-39页 |
| ·BF_3流量为20sccm时H_2流量的影响 | 第39-41页 |
| ·BF_3流量为10sccm时H_2流量的影响 | 第41-43页 |
| ·微波功率对氮化硼薄膜沉积的影响 | 第43-45页 |
| ·工作气压对氮化硼薄膜沉积的影响 | 第45-47页 |
| ·沉积时间对氮化硼薄膜沉积的影响 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 薄膜的结构性质与生长机理探讨 | 第51-61页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第51-54页 |
| ·薄膜的表面形貌结构 | 第51-52页 |
| ·薄膜的晶体结构 | 第52-54页 |
| ·薄膜的生长机理探讨 | 第54-57页 |
| ·薄膜的发光性质 | 第57-58页 |
| ·薄膜的超疏水性质 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
