多晶硅纳米薄膜在压阻传感器应用中的关键技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-31页 |
| ·课题背景及研究的目的和意义 | 第11-12页 |
| ·多晶硅薄膜在压阻传感器中的应用技术研究现状 | 第12-29页 |
| ·多晶硅薄膜电阻修正技术的研究现状 | 第14-18页 |
| ·多晶硅欧姆接触特性及工艺的研究现状 | 第18-26页 |
| ·多晶硅薄膜表面钝化工艺的研究现状 | 第26-29页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第29-31页 |
| 第2章 电学修正特性及机理研究 | 第31-69页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·电学修正测试样品的制备、表征与测试 | 第31-41页 |
| ·样品的制备 | 第31-32页 |
| ·薄膜微观结构的表征 | 第32-38页 |
| ·电学修正特性测量方法及实验结果 | 第38-41页 |
| ·基于IV对理论的晶界再结晶模型 | 第41-47页 |
| ·IV对的分子动力学仿真 | 第42-46页 |
| ·晶粒间界再结晶的模型化 | 第46-47页 |
| ·电学修正特性的机理分析 | 第47-57页 |
| ·电学修正的晶界热传导模型 | 第47-52页 |
| ·电学修正特性与薄膜参数关系的理论分析 | 第52-57页 |
| ·电学修正对压阻及温度特性的影响 | 第57-66页 |
| ·应变系数及温度系数的测量 | 第58-59页 |
| ·电学修正对应变系数及温度系数的影响 | 第59-66页 |
| ·电学修正对传感器性能的影响 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第3章 欧姆接触的理论基础与测试模型改进 | 第69-87页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·欧姆接触形成及导电机理 | 第69-74页 |
| ·金半接触势垒的能带分析 | 第69-71页 |
| ·欧姆接触的导电机理 | 第71-74页 |
| ·欧姆接触测试模型结构与测量方法的改进 | 第74-85页 |
| ·现有模型测量方法的分析 | 第74-78页 |
| ·测试结构的设计与改进 | 第78-81页 |
| ·测试方法的改进 | 第81-85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 第4章 欧姆接触样品的制备、表征与测试分析 | 第87-109页 |
| ·引言 | 第87页 |
| ·欧姆接触测试样品的制备 | 第87-89页 |
| ·PNTF欧姆接触特性测试结果及分析 | 第89-107页 |
| ·铝基欧姆接触特性 | 第89-93页 |
| ·钯基欧姆接触特性 | 第93-100页 |
| ·镍基欧姆接触特性 | 第100-104页 |
| ·欧姆接触的老化实验 | 第104-107页 |
| ·改进LTLM和CDTLM模型的对比验证 | 第107-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 第5章 表面钝化工艺研究 | 第109-122页 |
| ·引言 | 第109页 |
| ·表面钝化质量的评价方法 | 第109-111页 |
| ·PNTF低温表面钝化工艺的研究 | 第111-121页 |
| ·CVD表面钝化工艺 | 第111-117页 |
| ·聚酰亚胺钝化工艺 | 第117-119页 |
| ·溶胶-凝胶法钝化工艺 | 第119-121页 |
| ·本章小结 | 第121-122页 |
| 结论 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-133页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第133-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
| 个人简历 | 第137页 |
