| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·研究目的和意义 | 第10-11页 |
| ·ZnO薄膜的结构和光电特性 | 第11-12页 |
| ·ZnO中的缺陷 | 第12-14页 |
| ·本征ZnO中的点缺陷 | 第12-13页 |
| ·ZnO中的线缺陷和堆垛层错 | 第13页 |
| ·V族元素掺杂ZnO中的缺陷 | 第13-14页 |
| ·p型ZnO薄膜的研究进展 | 第14-15页 |
| ·p型ZnO的掺杂方法 | 第15-16页 |
| ·本论文所做工作 | 第16-17页 |
| 第2章 实验原理和特性检测技术 | 第17-24页 |
| ·ZnO薄膜制备的实验原理和实验装置 | 第17-19页 |
| ·螺旋波等离子体基本技术原理 | 第17页 |
| ·磁控等离子体溅射技术 | 第17页 |
| ·实验环境和设备参数的选取 | 第17-18页 |
| ·实验装置 | 第18-19页 |
| ·ZnO薄膜的特性检测技术 | 第19-24页 |
| ·X射线衍射(XRD)技术 | 第19-20页 |
| ·拉曼(Raman)光谱 | 第20-21页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第21页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第21-22页 |
| ·紫外-可见吸收谱(UV-VIS) | 第22页 |
| ·光致发光谱(PL) | 第22-23页 |
| ·霍尔效应测量(Hall Effect) | 第23-24页 |
| 第3章 N-Al共掺在Al_2O_3衬底上实现p型ZnO薄膜 | 第24-32页 |
| ·ZnO薄膜的制备条件 | 第24页 |
| ·退火前后薄膜性质的比较 | 第24-32页 |
| ·电学性质 | 第24-25页 |
| ·晶格结构 | 第25-26页 |
| ·表面形貌 | 第26页 |
| ·光学性质 | 第26-27页 |
| ·XPS分析 | 第27-29页 |
| ·Raman分析 | 第29-32页 |
| 第4章 Si衬底N-Al共掺p型ZnO薄膜的制备 | 第32-40页 |
| ·ZnO薄膜的制备条件 | 第32-33页 |
| ·n-Si和p-Si上ZnO薄膜的电学特性分析 | 第33-34页 |
| ·n型和p型Si衬底上ZnO薄膜的晶格结构 | 第34-36页 |
| ·n-Si上不同氧氮比ZnO薄膜的电学特性 | 第36-37页 |
| ·不同氧氮比例下ZnO薄膜的结构分析 | 第37-38页 |
| ·不同氧氮比例下ZnO薄膜的PL谱分析 | 第38-40页 |
| 第5章 Si衬底上N-Al共掺p型ZnO薄膜的形成机理 | 第40-47页 |
| ·x射线光电子能谱分析(XPS) | 第40-43页 |
| ·Raman研究 | 第43-44页 |
| ·低温光致发光谱研究 | 第44-47页 |
| 结束语 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 致谢 | 第55页 |