| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-38页 |
| ·硅太阳电池 | 第14-19页 |
| ·晶体硅太阳电池 | 第15-17页 |
| ·单晶硅太阳电池及材料 | 第15页 |
| ·多晶硅太阳电池及材料 | 第15-16页 |
| ·其他几种多晶硅类太阳电池及材料 | 第16-17页 |
| ·晶体硅太阳电池的发展趋势 | 第17页 |
| ·非晶硅太阳电池 | 第17-19页 |
| ·非晶硅太阳电池材料与技术 | 第17-18页 |
| ·非晶硅太阳电池的稳定性 | 第18页 |
| ·非晶硅太阳电池的应用现状与发展前景 | 第18-19页 |
| ·III－V 族化合物半导体太阳电池 | 第19-20页 |
| ·GaAs 基系太阳电池 | 第19-20页 |
| ·InP 基系太阳电池 | 第20页 |
| ·III－V 族化合物的新概念太阳电池 | 第20页 |
| ·化合物半导体薄膜太阳电池 | 第20-24页 |
| ·铜铟硒薄膜太阳电池 | 第20-22页 |
| ·铜铟硒太阳电池材料与制备技术 | 第21页 |
| ·铜铟硒太阳电池的产业化现状与前景 | 第21-22页 |
| ·CdTe 薄膜太阳电池 | 第22-24页 |
| ·CdTe 薄膜太阳电池材料与制备技术 | 第22-23页 |
| ·CdTe 薄膜太阳电池的产业化现状与前景 | 第23-24页 |
| ·CdTe太阳电池的背接触 | 第24-34页 |
| ·CdTe薄膜电池的背接触问题 | 第24-26页 |
| ·CdTe 的功函数 | 第24-25页 |
| ·CdTe 的掺杂 | 第25-26页 |
| ·获得欧姆接触的方法 | 第26页 |
| ·各种背接触材料及效果 | 第26-34页 |
| ·金接触 | 第26-28页 |
| ·锂扩散的金接触 | 第28页 |
| ·碲化汞(HgTe) | 第28-29页 |
| ·掺杂石墨浆 | 第29-30页 |
| ·扩散铜接触 | 第30页 |
| ·Cu_2Te 接触 | 第30-31页 |
| ·ZnTe:Cu 背接触 | 第31-33页 |
| ·Ni－P 接触 | 第33页 |
| ·Sb_2Te_3 接触 | 第33-34页 |
| ·论文的研究目的和内容 | 第34-38页 |
| ·研究背景 | 第34页 |
| ·选题思路 | 第34-36页 |
| ·论文的研究内容和方案 | 第36-38页 |
| 第二章 ZnTe、ZnTe:Cu 薄膜的制备及其性质 | 第38-58页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·ZnTe 和ZnTe:Cu 薄膜的制备及后处理 | 第38-40页 |
| ·薄膜的制备 | 第38-39页 |
| ·薄膜的后处理 | 第39-40页 |
| ·ZnTe 和ZnTe:Cu 薄膜的性质表征 | 第40-56页 |
| ·结构 | 第40-43页 |
| ·成分分析 | 第43-48页 |
| ·EDAX 分析 | 第43-44页 |
| ·XPS 分析 | 第44-48页 |
| ·表面形貌 | 第48-51页 |
| ·光学性质 | 第51-52页 |
| ·基本原理 | 第51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-52页 |
| ·电学性质 | 第52-56页 |
| ·小结 | 第56-58页 |
| 第三章 Cd_(1-x)Zn_xTe 薄膜的制备及其性质 | 第58-77页 |
| ·引言 | 第58页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe 薄膜的制备及后处理 | 第58-59页 |
| ·薄膜的制备 | 第58-59页 |
| ·薄膜的后处理 | 第59页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe 薄膜的性质表征 | 第59-75页 |
| ·结构表征 | 第59-63页 |
| ·刚沉积的薄膜结构 | 第59-63页 |
| ·退火对结构的影响 | 第63页 |
| ·成分分析 | 第63-67页 |
| ·表面形貌 | 第67-68页 |
| ·光学性质 | 第68-73页 |
| ·电学性质 | 第73-75页 |
| ·小结 | 第75-77页 |
| 第四章 ZnTe/ZnTe:Cu、Cd_(1-x)Zn_xTe/ZnTe:Cu 复合背接触层在 CdTe 薄膜电池中的应用 | 第77-100页 |
| ·引言 | 第77页 |
| ·CdTe 多晶薄膜电池的制备 | 第77-79页 |
| ·CdS 多晶薄膜的制备 | 第77-78页 |
| ·CdTe 多晶薄膜的制备和退火 | 第78页 |
| ·CdTe 多晶薄膜的表面刻蚀 | 第78-79页 |
| ·真空蒸发法制备ZnTe/CZT 薄膜 | 第79页 |
| ·真空蒸发法制备ZnTe:Cu 薄膜及其后处理 | 第79页 |
| ·真空蒸发法沉积Ni/Au 薄膜 | 第79页 |
| ·太阳电池器件原理 | 第79-81页 |
| ·光生伏打效应 | 第79-80页 |
| ·太阳电池性能参量 | 第80-81页 |
| ·ZnTe/ZnTe:Cu 复合背接触层对CdTe 电池性能的影响 | 第81-90页 |
| ·有无ZnTe/ZnTe:Cu 复合背接触层的CdTe 电池的性能 | 第82-87页 |
| ·基础理论 | 第82-83页 |
| ·结果与讨论 | 第83-87页 |
| ·复合背接触层的参数对电池性能的影响 | 第87-90页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe/ZnTe:Cu 复合背接触层对CdTe 电池性能的影响 | 第90-98页 |
| ·CZT 薄膜的厚度对CdTe 电池性能的影响 | 第91-96页 |
| ·CZT 薄膜的组分对CdTe 电池性能的影响 | 第96-98页 |
| ·小结 | 第98-100页 |
| 第五章 CdTe 薄膜太阳电池背接触层的理论模拟及设计 | 第100-122页 |
| ·引言 | 第100页 |
| ·太阳电池基本方程及求解 | 第100-108页 |
| ·太阳电池基本方程 | 第100-102页 |
| ·电子和空穴浓度 | 第102页 |
| ·杂质能级和杂质带 | 第102-105页 |
| ·载流子产生与复合 | 第105-107页 |
| ·载流子产生 | 第105页 |
| ·载流子复合 | 第105-107页 |
| ·太阳电池基本方程求解 | 第107-108页 |
| ·CdTe 薄膜太阳电池背接触层的器件模拟 | 第108-120页 |
| ·ZnTe 薄膜的厚度对CdTe 电池性能的影响 | 第109-112页 |
| ·ZnTe:Cu 薄膜的掺Cu 浓度对CdTe 电池性能的影响 | 第112-115页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe 薄膜的组分对CdTe 电池性能的影响 | 第115-117页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xTe 薄膜的厚度对CdTe 电池性能的影响 | 第117页 |
| ·CdTe 薄膜电池性能的厚度优化 | 第117-120页 |
| ·小结 | 第120-122页 |
| 第六章 总结 | 第122-126页 |
| 参考文献 | 第126-133页 |
| 发表的论文 | 第133-134页 |
| 参与的科研项目 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136页 |
