| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-30页 |
| ·集成电路的发展概况 | 第11-12页 |
| ·MOSFET 的发展趋势和面临的挑战 | 第12-16页 |
| ·MOSFET 的阈值电压 | 第16-20页 |
| ·高k 栅介质MOS 器件研究概况 | 第20-27页 |
| ·本文的主要工作 | 第27-30页 |
| 2 高k 栅介质MOSFET 阈值电压模型 | 第30-47页 |
| ·长沟MOSFET 的阈值电压 | 第30-32页 |
| ·短沟高k 栅介质MOSFET 阈值电压模型 | 第32-34页 |
| ·考虑漏源偏压的阈值电压模型 | 第34-41页 |
| ·结果与分析 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 3 MOSFET 边缘电容模型及其对阈值电压的影响 | 第47-69页 |
| ·保形变换方法简介 | 第47-48页 |
| ·MOSFET 边缘电容模型 | 第48-59页 |
| ·边缘电容对MOSFET 阈值电压的影响 | 第59-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 4 表面预处理对高k 栅介质MOS 器件电特性的影响 | 第69-79页 |
| ·样品制备工艺 | 第69-71页 |
| ·MOS 器件电参数的提取 | 第71-76页 |
| ·表面预处理工艺研究 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 5 HfTiON 栅介质制备工艺研究 | 第79-91页 |
| ·有氧溅射Hf/Ti 制备HfTiON 栅介质 | 第79-84页 |
| ·无氧溅射Hf/Ti 制备HfTiON 栅介质 | 第84-89页 |
| ·有氧/无氧溅射Hf/Ti 制备HfTiON 工艺的比较 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 6 叠层高k 栅介质MOS 器件制备及电特性研究 | 第91-102页 |
| ·HfTiON/SiON 叠层高k 栅介质MOS 器件 | 第91-96页 |
| ·HfTiON/HfSiON 叠层高k 栅介质MOS 器件 | 第96-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 7 全文总结 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-116页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第116页 |
