摘要 | 第1-4页 |
ABSTRACT | 第4-7页 |
第一章 文献综述 | 第7-22页 |
·薄膜的特征及其形成原理 | 第7-11页 |
·薄膜的定义与特征 | 第7页 |
·薄膜的形成方式 | 第7-9页 |
·薄膜形成的热力学条件 | 第9-10页 |
·晶核形成速度 | 第10-11页 |
·薄膜的制备方法 | 第11页 |
·离子镀技术 | 第11-13页 |
·多弧离子镀技术 | 第13-19页 |
·多弧离子镀原理和装置 | 第13-14页 |
·多弧离子镀阴极斑点 | 第14-15页 |
·多弧离子镀的阴极靶 | 第15页 |
·多弧离子镀工艺参数 | 第15-16页 |
·镀膜过程中的注意事项 | 第16-17页 |
·多弧离子镀技术的应用 | 第17-18页 |
·多弧离子镀技术的发展 | 第18-19页 |
·TIC 薄膜的研究进展 | 第19-20页 |
·本研究的内容及意义 | 第20-21页 |
·本研究的内容 | 第20-21页 |
·本研究的意义 | 第21页 |
·本研究执行的技术路线 | 第21-22页 |
第二章 实验设备及方法 | 第22-28页 |
·实验材料 | 第22页 |
·实验前基体试样的预处理 | 第22页 |
·镀膜设备 | 第22-23页 |
·实验流程 | 第23-24页 |
·辉光清洗原理及作用 | 第23页 |
·弧光清洗原理及作用 | 第23-24页 |
·TIC 薄膜沉积工艺的设计 | 第24页 |
·性能的检测 | 第24-28页 |
·结合力的测定 | 第24-26页 |
·显微硬度的测定 | 第26页 |
·表面形貌、显微结构的观测及薄膜的物相分析 | 第26页 |
·耐磨性的检测 | 第26-27页 |
·膜层内应力测定 | 第27-28页 |
第三章 制备TIC 薄膜的工艺研究 | 第28-44页 |
·C_2H_2 流量范围的确定 | 第28-31页 |
·沉积工艺 | 第28页 |
·C_2H_2 流量对薄膜表面形貌的影响 | 第28-29页 |
·C_2H_2 流量对膜/基结合力和显微硬度的影响 | 第29-30页 |
·C_2H_2 流量对TiC 薄膜相结构的影响 | 第30-31页 |
·沉积温度的影响 | 第31-34页 |
·沉积工艺 | 第31-32页 |
·沉积温度对薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
·沉积温度对膜/基结合力和显微硬度的影响 | 第33-34页 |
·AR 流量的影响 | 第34-35页 |
·沉积工艺 | 第34页 |
·Ar 流量对膜/基结合力的影响 | 第34-35页 |
·正交试验 | 第35-39页 |
·正交实验结果 | 第36页 |
·正交实验结果分析 | 第36-39页 |
·负偏压的影响 | 第39-40页 |
·沉积工艺优化 | 第40页 |
·最佳工艺下制备的TIC 薄膜的形貌观察及物相分析 | 第40-44页 |
第四章 TIC 薄膜耐磨性及内应力研究 | 第44-54页 |
·TIC 薄膜的耐磨性 | 第44-50页 |
·TiC 膜与TiN 膜及未镀样的耐磨性对比 | 第44-48页 |
·磨损机理分析 | 第48-50页 |
·TIC 薄膜的内应力 | 第50-54页 |
·薄膜的内应力的测定方法 | 第50页 |
·TiC 薄膜内应力的测定 | 第50-53页 |
·TiC 薄膜应力产生的原因 | 第53-54页 |
第五章 结论 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
附录 | 第59-60页 |
详细摘要 | 第60-64页 |