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多弧离子镀制备TiC薄膜的工艺及性能研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
第一章 文献综述第7-22页
   ·薄膜的特征及其形成原理第7-11页
     ·薄膜的定义与特征第7页
     ·薄膜的形成方式第7-9页
     ·薄膜形成的热力学条件第9-10页
     ·晶核形成速度第10-11页
     ·薄膜的制备方法第11页
   ·离子镀技术第11-13页
   ·多弧离子镀技术第13-19页
     ·多弧离子镀原理和装置第13-14页
     ·多弧离子镀阴极斑点第14-15页
     ·多弧离子镀的阴极靶第15页
     ·多弧离子镀工艺参数第15-16页
     ·镀膜过程中的注意事项第16-17页
     ·多弧离子镀技术的应用第17-18页
     ·多弧离子镀技术的发展第18-19页
   ·TIC 薄膜的研究进展第19-20页
   ·本研究的内容及意义第20-21页
     ·本研究的内容第20-21页
     ·本研究的意义第21页
   ·本研究执行的技术路线第21-22页
第二章 实验设备及方法第22-28页
   ·实验材料第22页
   ·实验前基体试样的预处理第22页
   ·镀膜设备第22-23页
   ·实验流程第23-24页
     ·辉光清洗原理及作用第23页
     ·弧光清洗原理及作用第23-24页
   ·TIC 薄膜沉积工艺的设计第24页
   ·性能的检测第24-28页
     ·结合力的测定第24-26页
     ·显微硬度的测定第26页
     ·表面形貌、显微结构的观测及薄膜的物相分析第26页
     ·耐磨性的检测第26-27页
     ·膜层内应力测定第27-28页
第三章 制备TIC 薄膜的工艺研究第28-44页
   ·C_2H_2 流量范围的确定第28-31页
     ·沉积工艺第28页
     ·C_2H_2 流量对薄膜表面形貌的影响第28-29页
     ·C_2H_2 流量对膜/基结合力和显微硬度的影响第29-30页
     ·C_2H_2 流量对TiC 薄膜相结构的影响第30-31页
   ·沉积温度的影响第31-34页
     ·沉积工艺第31-32页
     ·沉积温度对薄膜表面形貌的影响第32-33页
     ·沉积温度对膜/基结合力和显微硬度的影响第33-34页
   ·AR 流量的影响第34-35页
     ·沉积工艺第34页
     ·Ar 流量对膜/基结合力的影响第34-35页
   ·正交试验第35-39页
     ·正交实验结果第36页
     ·正交实验结果分析第36-39页
   ·负偏压的影响第39-40页
   ·沉积工艺优化第40页
   ·最佳工艺下制备的TIC 薄膜的形貌观察及物相分析第40-44页
第四章 TIC 薄膜耐磨性及内应力研究第44-54页
   ·TIC 薄膜的耐磨性第44-50页
     ·TiC 膜与TiN 膜及未镀样的耐磨性对比第44-48页
     ·磨损机理分析第48-50页
   ·TIC 薄膜的内应力第50-54页
     ·薄膜的内应力的测定方法第50页
     ·TiC 薄膜内应力的测定第50-53页
     ·TiC 薄膜应力产生的原因第53-54页
第五章 结论第54-55页
参考文献第55-58页
致谢第58-59页
附录第59-60页
详细摘要第60-64页

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