GaAs微波功率单片电路技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·GaAs微波功率单片电路的发展历史 | 第8-10页 |
| ·GaAs微波功率单片电路的现状及应用背景 | 第10-12页 |
| ·GaAs微波功率单片电路的优、缺点 | 第12-14页 |
| ·单片电路与混合电路的比较 | 第12页 |
| ·GaAs微波功率单片电路的优点 | 第12-13页 |
| ·GaAs微波功率单片电路存在的主要问题 | 第13-14页 |
| 第二章 微波功率放大电路的设计理论 | 第14-26页 |
| ·电路小信号网络参数 | 第14-15页 |
| ·放大器的增益和稳定性 | 第15-17页 |
| ·放大器的输出功率 | 第17-18页 |
| ·放大器的效率 | 第18-19页 |
| ·效率的定义 | 第18-19页 |
| ·放大器的功率效率和静态工作点的关系 | 第19页 |
| ·输入输出驻波比 | 第19-21页 |
| ·交调失真 | 第21-22页 |
| ·功放电路的拓扑选取 | 第22-24页 |
| ·匹配与级连 | 第22-23页 |
| ·拓扑原理 | 第23-24页 |
| ·单片功放的偏置 | 第24-26页 |
| 第三章 MMIC有源器件的设计原理 | 第26-38页 |
| ·金属半导体场效应晶体管(MESFET) | 第26-32页 |
| ·MESFET的结构和工作原理 | 第26-27页 |
| ·器件物理参量 | 第27-29页 |
| ·MESFET等效电路 | 第29-32页 |
| ·高电子迁移率晶体管(HEMT和PHEMT) | 第32-38页 |
| ·基本结构 | 第32-34页 |
| ·工作原理 | 第34-35页 |
| ·等效电路 | 第35-38页 |
| 第四章 GaAs微波功率单片电路的设计 | 第38-62页 |
| ·材料结构设计 | 第38-39页 |
| ·材料的选择 | 第38页 |
| ·材料的结构 | 第38-39页 |
| ·有源器件设计 | 第39-43页 |
| ·器件设计的基本公式 | 第39-40页 |
| ·寄生参量对器件性能的影响 | 第40页 |
| ·频率特性 | 第40-41页 |
| ·器件热特性 | 第41页 |
| ·器件设计的原则 | 第41页 |
| ·器件的选择 | 第41-43页 |
| ·无源元件的设计 | 第43-50页 |
| ·电阻 | 第43-44页 |
| ·电容 | 第44-46页 |
| ·电感 | 第46-47页 |
| ·传输线 | 第47-48页 |
| ·背面通孔 | 第48-49页 |
| ·空气桥 | 第49-50页 |
| ·器件建模 | 第50-53页 |
| ·大信号器件模型分析 | 第50-51页 |
| ·大信号建模 | 第51-53页 |
| ·电路设计 | 第53-57页 |
| ·电路拓扑设计 | 第53-54页 |
| ·匹配电路设计 | 第54页 |
| ·直流偏置电路的设计 | 第54-55页 |
| ·CAD优化 | 第55-56页 |
| ·版图设计 | 第56-57页 |
| ·工艺设计 | 第57-59页 |
| ·0.25μm PHEMT工艺制作流程 | 第57-58页 |
| ·关键工艺 | 第58-59页 |
| ·可靠性设计 | 第59-62页 |
| 第五章 单片电路的测试及结果分析 | 第62-66页 |
| ·MMIC的测试技术 | 第62-63页 |
| ·MMIC的测试方法 | 第62页 |
| ·输出功率、功率增益、增益平坦度、工作电流的测试 | 第62-63页 |
| ·输入电压驻波比、相位一致性的测试 | 第63页 |
| ·测试结果 | 第63-64页 |
| ·结果分析 | 第64-65页 |
| ·应用前景 | 第65-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
