| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·半导体量子点的研究现状 | 第8-13页 |
| ·半导体量子点的研究意义 | 第9页 |
| ·SiC 量子点的研究进展 | 第9-10页 |
| ·半导体量子点的发光机理 | 第10-12页 |
| ·半导体量子点的形成机理 | 第12-13页 |
| ·半导体量子点/基体-纳米颗粒薄膜材料概述 | 第13-18页 |
| ·半导体量子点/基体-纳米颗粒薄膜的研究意义 | 第13-14页 |
| ·半导体量子点/基体-半导体纳米颗粒薄膜的制备方法 | 第14-18页 |
| ·基体材料的选用 | 第18-19页 |
| ·基体材料的概述 | 第18-19页 |
| ·ZnO 基体材料的性能 | 第19页 |
| ·选题依据与创新点 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究内容和目的 | 第20-21页 |
| 第二章 样品制备及分析方法 | 第21-28页 |
| ·实验材料 | 第21页 |
| ·样品制备 | 第21-24页 |
| ·ZnO/SiC/ZnO 三明治结构多层膜的制备方案 | 第22-24页 |
| ·ZnO 薄膜样品的制备 | 第24页 |
| ·样品退火 | 第24-26页 |
| ·样品的分析方法 | 第26-28页 |
| ·光致发光测试（PL） | 第26-27页 |
| ·微观结构观察（TEM） | 第27页 |
| ·结晶相分析（XRD） | 第27页 |
| ·表面键分析（FTIR） | 第27-28页 |
| 第三章 SiC/ZnO 纳米颗粒薄膜的结构表征 | 第28-39页 |
| ·薄膜物相-XRD 分析 | 第28-30页 |
| ·薄膜微观结构-TEM 分析 | 第30-36页 |
| ·薄膜的FTIR 分析 | 第36页 |
| ·SiC 纳米颗粒的形成机理分析 | 第36-38页 |
| ·本章小节 | 第38-39页 |
| 第四章 SiC/ZnO 纳米颗粒膜的光致发光性能 | 第39-54页 |
| ·退火对SiC/ZnO 纳米颗粒膜微观结构及发光性能影响 | 第39-47页 |
| ·退火温度对SiC/ZnO 纳米颗粒膜发光性能的影响 | 第39-42页 |
| ·退火温度对纯ZnO 薄膜发光性能的影响 | 第42-43页 |
| ·退火时间对SiC/ZnO 纳米颗粒膜微观结构及发光性能的影响 | 第43-47页 |
| ·膜厚对SiC/ZnO 纳米颗粒膜微观结构及发光性能的影响 | 第47-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| ·主要结论 | 第54页 |
| ·想法与建议 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
