碲锌镉核辐射探测器的电极研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 第一章 概论 | 第8-18页 |
| ·半导体核辐射探测器的发展及分类 | 第8-13页 |
| ·核辐射探测器的发展 | 第8页 |
| ·半导体核辐射探测器的分类 | 第8-10页 |
| ·常见的室温半导体核辐射探测器 | 第10-13页 |
| ·室温半导体核辐射探测器材料 | 第13-14页 |
| ·常用的室温半导体探测器材料 | 第13页 |
| ·制备室温核辐射探测器对化合物半导体材料的要求 | 第13-14页 |
| ·碲锌镉核辐射探测器 | 第14-16页 |
| ·本章小结 | 第16-18页 |
| 第二章 核辐射与碲锌镉探测器的作用方式 | 第18-30页 |
| ·射线的分类 | 第18页 |
| ·Γ射线和X 射线与碲锌镉探测器的相互作用 | 第18-23页 |
| ·光电效应 | 第18-19页 |
| ·康普顿散射 | 第19-22页 |
| ·电子对效应 | 第22-23页 |
| ·碲锌镉探测器的工作原理 | 第23-28页 |
| ·电荷收集 | 第24-25页 |
| ·能量分辨率 | 第25-28页 |
| ·本文主要研究内容及目的 | 第28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 金属和半导体接触理论 | 第30-38页 |
| ·金属和半导体的接触电势差 | 第30-34页 |
| ·MS 结构 | 第34-36页 |
| ·MIS 结构 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 碲锌镉探测器晶片的制备 | 第38-54页 |
| ·碲锌镉晶片的加工 | 第38-40页 |
| ·碲锌镉晶片表面钝化 | 第40-45页 |
| ·晶片表面钝化对漏电流的影响 | 第40-41页 |
| ·晶片表面形貌观察 | 第41-43页 |
| ·碲锌镉晶片表面钝化层的XPS 微观表征 | 第43-45页 |
| ·电极制备及I-V 测试 | 第45-53页 |
| ·MS 结构电极 | 第46-47页 |
| ·MIS 结构电极 | 第47-49页 |
| ·MS 结构和MIS 结构的漏电流 | 第49-51页 |
| ·反相偏压对MIS 结构漏电流的影响 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研情况 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60页 |