| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| §1-1 课题研究的意义 | 第8页 |
| §1-2 X射线双晶衍射技术的发展及应用 | 第8-12页 |
| §1-3 研究的主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 X射线双晶衍射的基本理论 | 第13-19页 |
| §2-1 X射线物理学基础 | 第13-14页 |
| 2-1-1 X射线的本质 | 第13页 |
| 2-1-2 特征X射线谱的形成 | 第13-14页 |
| §2-2 运动学和动力学理论 | 第14-18页 |
| 2-2-1 运动学理论 | 第14-16页 |
| 2-2-2 动力学理论 | 第16-18页 |
| §2-3 本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 分子束外延（MBE）和化学气相淀积(CVD) | 第19-26页 |
| §3-1 分子束外延 | 第19-22页 |
| 3-1-1 固态MBE生长设备 | 第20页 |
| 3-1-2 MBE外延生长动力学 | 第20-21页 |
| 3-1-3 MBE外延生长热力学 | 第21-22页 |
| §3-2 化学气相淀积 | 第22-25页 |
| 3-2-1 化学气相沉积法原理 | 第22页 |
| 3-2-2 常规气相淀积装置 | 第22-23页 |
| 3-2-3 化学气相淀积步骤及其影响因素 | 第23-25页 |
| §3-3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第四章 GaAs基量子阱材料的 MBE生长及XRD和电化学C-V表征 | 第26-36页 |
| §4-1 量子阱结构材料特征 | 第26页 |
| §4-2 GaAs基外延材料MBE生长工艺的优化 | 第26-29页 |
| 4-2-1 GaAs衬底上MBE外延生长材料种类的分析 | 第26-28页 |
| 4-2-2 材料组分和层厚精细控制优化 | 第28页 |
| 4-2-3 缓冲层和帽层的Si掺杂浓度的控制优化 | 第28-29页 |
| §4-3 量子阱材料样品生长 | 第29-30页 |
| §4-4 XRD表征与分析 | 第30-33页 |
| 4-4-1 X射线相干性分析 | 第30页 |
| 4-4-2 XRD谱测试 | 第30-33页 |
| §4-5 电化学C-V法测试和分析 | 第33-34页 |
| 4-5-1 测试原理和方法 | 第33-34页 |
| 4-5-2 测试结果和讨论 | 第34页 |
| §4-6 本章小结 | 第34-36页 |
| 第五章 SiC单晶和4H-SiC MESFET材料的XRD分析 | 第36-43页 |
| §5-1 SiC的基本特性及单晶生长发展状况 | 第36-37页 |
| §5-2 4H-SiC MESFET结构材料生长及XRD表征 | 第37-42页 |
| 5-2-1 SiC-CVD同质外延生长设备 | 第37-38页 |
| 5-2-2 4H-SiC MESFET样品的生长 | 第38页 |
| 5-2-3 XRD测试结果和分析 | 第38-42页 |
| §5-3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第六章 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第47页 |
