反熔丝型存储器设计技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·本课题的背景及研究意义 | 第8-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·本论文的主要工作及目标 | 第12-13页 |
| 第二章 OTP 存储器 | 第13-28页 |
| ·反熔丝的结构 | 第13-18页 |
| ·Kilopass 公司的反熔丝结构 | 第14-15页 |
| ·Actel 公司的多晶-扩散反熔丝 | 第15-16页 |
| ·QuickLogic 公司反熔丝结构 | 第16-17页 |
| ·3-Transistor 反熔丝结构 | 第17-18页 |
| ·反熔丝存储器设计指标 | 第18-21页 |
| ·浴盆曲线 | 第18-19页 |
| ·加速高温老化试验 | 第19-20页 |
| ·高温寿命测试 | 第20-21页 |
| ·其他测试指标 | 第21-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第三章 栅氧击穿模型介绍 | 第28-38页 |
| ·栅氧击穿的主要模型 | 第28-29页 |
| ·经时击穿模型 | 第29-37页 |
| ·热化学击穿模型 | 第31-33页 |
| ·空穴击穿模型 | 第33-36页 |
| ·统一击穿模型 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 电路的原理图设计与仿真 | 第38-57页 |
| ·3-Transisotr 工作原理介绍 | 第38-46页 |
| ·3-Transistor 结构介绍 | 第38-40页 |
| ·3-Transistor 存储单元结构工作原理 | 第40-42页 |
| ·反熔丝存储单元仿真 | 第42-46页 |
| ·译码器电路设计和仿真 | 第46-50页 |
| ·行译码器的设计与仿真 | 第47-48页 |
| ·列译码器的设计与仿真 | 第48-50页 |
| ·灵敏放大器的设计与仿真 | 第50-53页 |
| ·整体电路设计与仿真 | 第53-57页 |
| 第五章 电路的版图设计 | 第57-63页 |
| ·版图的布局布线介绍 | 第57-59页 |
| ·本设计的版图 | 第59页 |
| ·电路的后仿 | 第59-61页 |
| ·芯片的测试 | 第61-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第67-68页 |
