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RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si:H薄膜的性能研究及其比较

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-8页
目录第8-11页
第一章 绪论第11-13页
第二章 文献综述第13-37页
   ·引言第13页
   ·太阳能电池第13-23页
     ·太阳能电池概述第13-14页
     ·太阳能电池的原理和结构第14-15页
     ·太阳能电池材料及其性能比较第15-21页
     ·光伏产业(PV)的现状及发展前景第21-23页
   ·非晶硅的制备方法第23-27页
     ·等射频离子体化学增强气相沉积法(RF-PECVD)第24-25页
     ·介质层阻挡放电增强化学气相沉积法(DBD-PECVD)第25页
     ·甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)第25-26页
     ·微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(MWECR-PECVD)第26-27页
   ·RF-PECVD中a-Si:H膜的生长过程第27-30页
     ·RF-PECVD中的等离子体反应第27-28页
     ·a-Si:H的沉积过程第28-30页
   ·非晶硅的掺杂第30-31页
   ·本论文的研究目的和意义第31-32页
 参考文献第32-37页
第三章 实验过程第37-47页
   ·实验设计第37-38页
     ·射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备a-Si:H薄膜第37页
     ·硼掺杂对a-Si:H薄膜光电性能的影响第37页
     ·介质层阻挡放电增强化学气相沉积(DBD-PECVD)法制备a-Si:H薄膜第37-38页
     ·RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si:H薄膜的性能比较及DBD-PECVD沉积a-Si:H薄膜的机理探讨第38页
   ·实验设备第38-42页
     ·射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)设备第38-39页
     ·介质层阻挡放电增强化学气相沉积法(DBD-PECVD)设备第39-42页
   ·实验材料第42-43页
     ·薄膜沉积材料第42页
     ·基板材料第42-43页
   ·测试方法及设备第43-46页
     ·X射线衍射仪(XRD)第43页
     ·膜厚测试第43-44页
     ·傅立叶转化红外光谱(FTIR)第44-45页
     ·激光喇曼谱(Raman)第45页
     ·紫外可见光谱(U-V spectrum)第45页
     ·场发射扫描电子显微镜(FESEM)第45-46页
   ·参考文献第46-47页
第四章 RF-PECVD制备非晶硅及其性能第47-69页
   ·样品制备第47-48页
     ·时间系列第47页
     ·浓度系列第47页
     ·温度系列第47页
     ·功率系列第47-48页
   ·结果与讨论第48-66页
     ·沉积时间对膜厚和透过率的影响第48-50页
     ·反射功率对膜层宏观表面的影响第50-51页
     ·硅烷浓度对a-Si:H薄膜性能的影响第51-55页
     ·沉积温度对a-Si:H薄膜性能的影响第55-60页
     ·沉积功率对a-Si:H薄膜性能的影响第60-63页
     ·SEM结果的表面形貌分析第63-66页
   ·小结第66-67页
 参考文献第67-69页
第五章 硼掺杂对 RF-PECVD制备非晶硅的性能影响第69-75页
   ·样品制备第69-70页
   ·实验结果与讨论第70-74页
     ·硼掺杂对非晶硅结构的影响第70-71页
     ·硼掺杂对非晶硅光电性能的影响第71-74页
   ·小结第74页
 参考文献第74-75页
第六章 DBD-PECVD制备非晶硅薄膜及其性能第75-84页
   ·样品制备第75页
   ·实验结果及讨论第75-83页
     ·沉积电压对沉积速率的影响第75-77页
     ·硅烷浓度对 DBD-PECVD沉积a-Si:H的性能影响第77-80页
     ·沉积功率对气相成核的影响第80-83页
   ·小结第83页
 参考文献第83-84页
第七章 RF-PECVD和 DBD-PECVD制备非晶硅的性能比较第84-87页
第八章 结论第87-89页
硕士研究生学习阶段已发表论文第89-90页
致谢第90页

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