摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-8页 |
目录 | 第8-11页 |
第一章 绪论 | 第11-13页 |
第二章 文献综述 | 第13-37页 |
·引言 | 第13页 |
·太阳能电池 | 第13-23页 |
·太阳能电池概述 | 第13-14页 |
·太阳能电池的原理和结构 | 第14-15页 |
·太阳能电池材料及其性能比较 | 第15-21页 |
·光伏产业(PV)的现状及发展前景 | 第21-23页 |
·非晶硅的制备方法 | 第23-27页 |
·等射频离子体化学增强气相沉积法(RF-PECVD) | 第24-25页 |
·介质层阻挡放电增强化学气相沉积法(DBD-PECVD) | 第25页 |
·甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) | 第25-26页 |
·微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(MWECR-PECVD) | 第26-27页 |
·RF-PECVD中a-Si:H膜的生长过程 | 第27-30页 |
·RF-PECVD中的等离子体反应 | 第27-28页 |
·a-Si:H的沉积过程 | 第28-30页 |
·非晶硅的掺杂 | 第30-31页 |
·本论文的研究目的和意义 | 第31-32页 |
参考文献 | 第32-37页 |
第三章 实验过程 | 第37-47页 |
·实验设计 | 第37-38页 |
·射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备a-Si:H薄膜 | 第37页 |
·硼掺杂对a-Si:H薄膜光电性能的影响 | 第37页 |
·介质层阻挡放电增强化学气相沉积(DBD-PECVD)法制备a-Si:H薄膜 | 第37-38页 |
·RF-PECVD和DBD-PECVD制备a-Si:H薄膜的性能比较及DBD-PECVD沉积a-Si:H薄膜的机理探讨 | 第38页 |
·实验设备 | 第38-42页 |
·射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)设备 | 第38-39页 |
·介质层阻挡放电增强化学气相沉积法(DBD-PECVD)设备 | 第39-42页 |
·实验材料 | 第42-43页 |
·薄膜沉积材料 | 第42页 |
·基板材料 | 第42-43页 |
·测试方法及设备 | 第43-46页 |
·X射线衍射仪(XRD) | 第43页 |
·膜厚测试 | 第43-44页 |
·傅立叶转化红外光谱(FTIR) | 第44-45页 |
·激光喇曼谱(Raman) | 第45页 |
·紫外可见光谱(U-V spectrum) | 第45页 |
·场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第45-46页 |
·参考文献 | 第46-47页 |
第四章 RF-PECVD制备非晶硅及其性能 | 第47-69页 |
·样品制备 | 第47-48页 |
·时间系列 | 第47页 |
·浓度系列 | 第47页 |
·温度系列 | 第47页 |
·功率系列 | 第47-48页 |
·结果与讨论 | 第48-66页 |
·沉积时间对膜厚和透过率的影响 | 第48-50页 |
·反射功率对膜层宏观表面的影响 | 第50-51页 |
·硅烷浓度对a-Si:H薄膜性能的影响 | 第51-55页 |
·沉积温度对a-Si:H薄膜性能的影响 | 第55-60页 |
·沉积功率对a-Si:H薄膜性能的影响 | 第60-63页 |
·SEM结果的表面形貌分析 | 第63-66页 |
·小结 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-69页 |
第五章 硼掺杂对 RF-PECVD制备非晶硅的性能影响 | 第69-75页 |
·样品制备 | 第69-70页 |
·实验结果与讨论 | 第70-74页 |
·硼掺杂对非晶硅结构的影响 | 第70-71页 |
·硼掺杂对非晶硅光电性能的影响 | 第71-74页 |
·小结 | 第74页 |
参考文献 | 第74-75页 |
第六章 DBD-PECVD制备非晶硅薄膜及其性能 | 第75-84页 |
·样品制备 | 第75页 |
·实验结果及讨论 | 第75-83页 |
·沉积电压对沉积速率的影响 | 第75-77页 |
·硅烷浓度对 DBD-PECVD沉积a-Si:H的性能影响 | 第77-80页 |
·沉积功率对气相成核的影响 | 第80-83页 |
·小结 | 第83页 |
参考文献 | 第83-84页 |
第七章 RF-PECVD和 DBD-PECVD制备非晶硅的性能比较 | 第84-87页 |
第八章 结论 | 第87-89页 |
硕士研究生学习阶段已发表论文 | 第89-90页 |
致谢 | 第90页 |