| 第一章 绪言 | 第1-15页 |
| 1．1 研究背景 | 第12页 |
| 1．2 问题的提出 | 第12-13页 |
| 1．3 本文的工作 | 第13-15页 |
| 第二章 光子晶体的发展和研究现状 | 第15-32页 |
| 2．1 引言 | 第15页 |
| 2．2 光子晶体的基本理论和特征 | 第15-19页 |
| 2．2．1 光子晶体定义以及背景 | 第15-16页 |
| 2．2．2 光子带隙 | 第16-18页 |
| 2．2．3 光子局域现象 | 第18-19页 |
| 2．3 光子晶体制备方法 | 第19-23页 |
| 2．3．1 精密加工法 | 第20-21页 |
| 2．3．2 提拉法自组装法 | 第21-22页 |
| 2．3．3 反面心立方结构制备 | 第22-23页 |
| 2．4 光子晶体的表征方法 | 第23-24页 |
| 2．4．1 结构的表征 | 第23页 |
| 2．4．2 光学特性的表征 | 第23-24页 |
| 2．5 金属基光子晶体 | 第24-27页 |
| 2．5．1 金属基光子晶体的完全光子带隙 | 第24-25页 |
| 2．5．2 金属基完全带隙光子晶体 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-32页 |
| 第三章 实验方法 | 第32-35页 |
| 3．1 实验方法和依据 | 第32-33页 |
| 3．2 样品的制备 | 第33页 |
| 3．3 材料组成、结构、状态与性能表征 | 第33-34页 |
| 3．3．1 透射电子显微镜(TEM) | 第33页 |
| 3．3．2 扫描电子显微镜(SEM) | 第33页 |
| 3．3．3 x射线衍射(XRD) | 第33页 |
| 3．3．4 紫外可见光谱(UV-Vis) | 第33-34页 |
| 3．3．5 x射线能谱(EDX) | 第34页 |
| 3．3．6 x射线光电子能谱分析(XPS) | 第34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第四章 单分散亚微米SiO_2微球的制备 | 第35-48页 |
| 4．1 引言 | 第35页 |
| 4．2 采用传统的sol-gel法制备SiO_2微球 | 第35-37页 |
| 4．3 高质量亚微米SiO_2微球的多步生长制备方法 | 第37-44页 |
| 4．3．1 方法思路及制备工艺 | 第38-41页 |
| 4．3．2 制备过程及技术特征 | 第41-44页 |
| 4．4 微球形成规律与动力学控制 | 第44-46页 |
| 4．5 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第五章 胶体法制备单分散SiO_2/Ag/SiO_2核壳结构亚微米球体 | 第48-67页 |
| 5．1 引言 | 第48-49页 |
| 5．2 亚微米SiO_2微球表面核壳结构的制备研究 | 第49-64页 |
| 5．2．1 核壳结构微球的制备思路 | 第49页 |
| 5．2．2 成核-生长完全分离的纳米银包覆层制备方法 | 第49-57页 |
| 5．2．2．1 晶核的形成 | 第50-53页 |
| 5．2．2．2 晶核的生长控制 | 第53-55页 |
| 5．2．2．3 微球表面银层的微结构和价态分析 | 第55-57页 |
| 5．2．3 SiO_2@Ag球表面APS和PVP复合改性制备纳米SiO_2层 | 第57-63页 |
| 5．2．3．1 [NH_3]和[H_2O]对SiO_2@Ag沉积的影响 | 第58-62页 |
| 5．2．3．2 SiO_2@Ag球表面纳米SiO_2层的XPS表征 | 第62页 |
| 5．2．3．3 SiO_2@Ag球表面纳米SiO_2层的EDX表征 | 第62-63页 |
| 5．2．4 单分散核壳结构亚微米球体制备过程中的吸收光谱 | 第63-64页 |
| 5．3 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第六章 SiO_2@Ag@SiO_2光子晶体的自组装制备及其带隙研究 | 第67-79页 |
| 6．1 引言 | 第67页 |
| 6．2 光子晶体的提拉法自组装制备 | 第67-73页 |
| 6．2．1 载玻片的清洗工艺 | 第68-69页 |
| 6．2．2 提拉法自组装制备 | 第69-73页 |
| 6．3 SiO_2@Ag@SiO_2光子晶体带隙研究 | 第73-76页 |
| 6．4 总结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第七章 结论 | 第79-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
