| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-30页 |
| 1．1 引言 | 第8-11页 |
| 1．1．1 CdZnTe晶体的晶格结构及特性 | 第8-9页 |
| 1．1．2 用作衬底的CdZnTe晶体的物理特性及研究现状 | 第9-11页 |
| 1．2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中常见缺陷及其形成过程 | 第11-17页 |
| 1．2．1 点缺陷 | 第12-13页 |
| 1．2．2 线缺陷 | 第13-14页 |
| 1．2．3 面缺陷 | 第14-15页 |
| 1．2．4 体缺陷 | 第15-17页 |
| 1．3 衬底用CdZnTe单晶材料典型的实验研究 | 第17-22页 |
| 1．3．1 双晶衍射 | 第17-19页 |
| 1．3．2 位错腐蚀坑实验 | 第19-21页 |
| 1．3．3 红外透射率测定 | 第21-22页 |
| 1．3．4 电阻率的测定 | 第22页 |
| 1．4 CdZnTe单晶的应力与晶格畸变及其X射线衍射法测定 | 第22-26页 |
| 1．4．1 应力分类 | 第22-23页 |
| 1．4．2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体单晶材料应力的研究现状 | 第23页 |
| 1．4．3 用X射线衍射法测定材料应力 | 第23-24页 |
| 1．4．4 立方晶系的极射赤面投影 | 第24-25页 |
| 1．4．5 单晶的X射线衍射 | 第25-26页 |
| 1．5 本文的研究内容 | 第26-27页 |
| 本章参考文献 | 第27-30页 |
| 第二章 CdZnTe单晶材料性能测试与退火改性 | 第30-38页 |
| 2．1 退火工艺及实验步骤 | 第30-31页 |
| 2．2 退火工艺对晶片位错腐蚀坑密度的影响 | 第31-33页 |
| 2．3 退火工艺对晶体的红外透过率的影响 | 第33-34页 |
| 2．4 退火工艺对晶片双晶衍射半峰宽的影响 | 第34-37页 |
| 2．5 本章小结 | 第37页 |
| 本章参考文献 | 第37-38页 |
| 第三章 CdZnTe单晶退火后的金相显微分析 | 第38-48页 |
| 3．1 实验方法与步骤 | 第38页 |
| 3．2 退火实验后同一晶片富Te和富Cd两面腐蚀花样观察 | 第38-39页 |
| 3．3 CdZnTe单晶退火实验后的Te沉淀相观察 | 第39-40页 |
| 3．4 CdZnTe单晶退火后产生的富Te相研究 | 第40-44页 |
| 3．5 CdZnTe晶片上的富Te条纹 | 第44-47页 |
| 3．6 本章小结 | 第47页 |
| 本章参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 CdZnTe单晶的透射电子显微分析 | 第48-55页 |
| 4．1 CdZnTe单晶中位错和Te沉淀的电子显微分析 | 第48-52页 |
| 4．1．1 实验方法 | 第48页 |
| 4．1．2 结果与讨论 | 第48-52页 |
| 4．2 CdZnTe单晶退火后的电子显微分析 | 第52-53页 |
| 4．3 本章小结 | 第53-54页 |
| 本章参考文献 | 第54-55页 |
| 第五章 CdZnTe晶体的应力测定与晶格畸变 | 第55-67页 |
| 5．1 引言 | 第55页 |
| 5．2 CdZnTe晶体中的应力 | 第55-57页 |
| 5．2．1 CdZnTe晶体的晶格畸变 | 第55-56页 |
| 5．2．2 CdZnTe晶体中产生应力的原因 | 第56-57页 |
| 5．3 CdZnTe晶体中的应力与晶格畸变的测定 | 第57-65页 |
| 5．3．1 测试原理 | 第57-61页 |
| 5．3．2 测试方法与结果(一个实例) | 第61-63页 |
| 5．3．3 数据处理与结果分析 | 第63-65页 |
| 5．4 本章小结 | 第65页 |
| 本章参考文献 | 第65-67页 |
| 主要结论 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位论文期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
