| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-31页 |
| 第一节 引言 | 第11-12页 |
| 第二节 过渡族金属在硅中的性质 | 第12-20页 |
| 2．2．1 过渡族金属在硅中的固溶度 | 第12-14页 |
| 2．2．2 过渡族金属在硅中的扩散 | 第14-16页 |
| 2．2．3 过渡族金属在硅中的沉淀规律 | 第16-19页 |
| 2．2．4 过渡族金属在硅中的电学性质 | 第19-20页 |
| 第三节 硅中过渡族金属的吸杂 | 第20-26页 |
| 2．3．1 吸杂的机理 | 第21-22页 |
| 2．3．2 吸杂的分类 | 第22-24页 |
| 2．3．3 内吸杂技术 | 第24-26页 |
| 第四节 快速热处理技术(RTP) | 第26-31页 |
| 2．4．1 RTP的基本机构 | 第26-27页 |
| 2．4．2 RTP的优点 | 第27-28页 |
| 2．4．3 MDZ形成的机理 | 第28-31页 |
| 第三章 实验设备 | 第31-37页 |
| 第一节 实验退火设备 | 第31-32页 |
| 3．1．1 常规退火炉 | 第31页 |
| 3．1．2 快速热处理炉 | 第31-32页 |
| 第二节 实验测试仪器 | 第32-37页 |
| 3．2．1 光学显微镜(OM) | 第32页 |
| 3．2．2 傅立叶红外干涉仪(FTIR) | 第32-33页 |
| 3．2．3 四探针仪(Four-point probe) | 第33页 |
| 3．2．4 扩展电阻仪(SPR) | 第33页 |
| 3．2．5 微波光电导衰减仪(μ-PCD) | 第33-37页 |
| 第四章 单晶硅中过渡族金属对洁净区及氧沉淀的影响 | 第37-55页 |
| 第一节 单晶硅中铜对洁净区的影响 | 第37-44页 |
| 4．1．1 引言 | 第37页 |
| 4．1．2 实验 | 第37-39页 |
| 4．1．3 实验结果和讨论 | 第39-43页 |
| 4．1．4 结论 | 第43-44页 |
| 第二节 单晶硅中镍对洁净区的影响 | 第44-49页 |
| 4．2．1 引言 | 第44页 |
| 4．2．2 实验 | 第44-45页 |
| 4．2．3 实验结果和讨论 | 第45-48页 |
| 4．2．4 结论 | 第48-49页 |
| 第三节 单晶硅中铜、镍对氧沉淀的影响 | 第49-54页 |
| 4．3．1 引言 | 第49页 |
| 4．3．2 实验 | 第49-50页 |
| 4．3．3 实验结果和讨论 | 第50-54页 |
| 4．3．4 结论 | 第54页 |
| 第四节 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 RTP作用下区熔硅中镍的电学性质 | 第55-63页 |
| 第一节 引言 | 第55-56页 |
| 第二节 实验 | 第56-57页 |
| 第三节 实验结果和讨论 | 第57-62页 |
| 第四节 结论 | 第62-63页 |
| 第六章 RTP作用下单晶硅中铜的复合性质的研究 | 第63-72页 |
| 第一节 引言 | 第63-65页 |
| 第二节 实验 | 第65-66页 |
| 第三节 实验结果和讨论 | 第66-71页 |
| 第四节 结论 | 第71-72页 |
| 第七章 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |