TFT栅绝缘层用氮化硅薄膜的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-22页 |
| ·课题研究背景 | 第9页 |
| ·课题研究意义及研究目的 | 第9-11页 |
| ·氮化硅薄膜的性质及主要应用 | 第11-14页 |
| ·物理性质及应用 | 第11-13页 |
| ·化学性质及应用 | 第13-14页 |
| ·氮化硅薄膜的主要制备方法 | 第14-20页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法 | 第14-18页 |
| ·溅射(Sputtering )法 | 第18页 |
| ·常压化学气相沉积(APCVD)法 | 第18-19页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD)法 | 第19页 |
| ·光化学气相沉积(Photo-CVD )法 | 第19-20页 |
| ·本论文的主要工作内容及意义 | 第20-22页 |
| 第二章 氮化硅薄膜对TFT 工作特性影响分析 | 第22-29页 |
| ·TFT 的结构、工作原理 | 第22-25页 |
| ·TFT 的结构 | 第22页 |
| ·正平面结构TFT 制造工序 | 第22-23页 |
| ·TFT 的工作原理 | 第23-25页 |
| ·TFT 栅绝缘层(栅介质材料)应满足的性能要求 | 第25-26页 |
| ·氮化硅薄膜作为栅绝缘层用的优点 | 第26-27页 |
| ·氮化硅薄膜对TFT 工作特性的影响分析 | 第27-29页 |
| 第三章 氮化硅薄膜的制备与性能测试 | 第29-42页 |
| ·实验材料 | 第29页 |
| ·氮化硅薄膜的制备 | 第29-34页 |
| ·PECVD 设备及操作 | 第29-32页 |
| ·氮化硅薄膜样品的制备 | 第32-34页 |
| ·MNS 电容器两电极的制备 | 第34-35页 |
| ·氮化硅薄膜的刻蚀 | 第35页 |
| ·氮化硅薄膜的性能测试 | 第35-42页 |
| ·氮化硅薄膜厚度的测量 | 第35-36页 |
| ·氮化硅薄膜电阻率及击穿场强的测量 | 第36页 |
| ·氮化硅薄膜界面特性的测量 | 第36-42页 |
| ·C-V 测试技术 | 第36-38页 |
| ·C-V 测试技术测定氮化硅薄膜的性能 | 第38-40页 |
| ·C-V 测试过程中遇到的问题及解决方法 | 第40-42页 |
| 第四章 实验结果的分析与讨论 | 第42-62页 |
| ·沉积温度对氮化硅薄膜性能的影响 | 第42-47页 |
| ·射频功率对氮化硅薄膜性能的影响 | 第47-51页 |
| ·氨气和硅烷流量比对氮化硅薄膜性能的影响 | 第51-55页 |
| ·反应压强对氮化硅薄膜性能的影响 | 第55-59页 |
| ·本底真空度对氮化硅薄膜性能的影响 | 第59页 |
| ·讨论 | 第59-62页 |
| ·等离子体中活性基团与离子的产生 | 第59-60页 |
| ·基片表面活性基团的吸附与离子的结合 | 第60-61页 |
| ·基片表面吸附原子的重排 | 第61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 第五章 结束语 | 第62-64页 |
| ·本文主要工作及结论 | 第62-63页 |
| ·本文工作展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 个人简历 | 第69页 |
| 硕士研究生期间发表的论文 | 第69页 |
