| 第一章 绪论 | 第1-16页 |
| ·存储器发展简介 | 第7页 |
| ·EPROM 与 EEPROM 的工作原理 | 第7-9页 |
| ·雪崩击穿载流子注入型悬浮栅MOS管(FAMOS) | 第7-8页 |
| ·浮栅隧道氧化层MOS 管(FLOTOX 管 | 第8-9页 |
| ·闪速存储技术(Flash) | 第9-16页 |
| ·分散栅闪速存储器(SGF)的工作原理 | 第10-13页 |
| ·闪速存储技术架构 | 第13-14页 |
| ·闪速存储技术的发展状况 | 第14-16页 |
| 第二章 摩托罗拉微控制器简介 | 第16-24页 |
| ·新一代八位微控制器M68HC08 简介 | 第16-17页 |
| ·摩托罗拉8 位嵌入式Flash 微控制器 | 第17-20页 |
| ·Flash 微处理器的参数 | 第18-19页 |
| ·嵌入式 Flash 微控制器 | 第19-20页 |
| ·课题研究背景及目标 | 第20-24页 |
| ·数据传输标准 | 第20页 |
| ·摩托罗拉以M68HC908RF2 为控制器的电子车锁介绍 | 第20-21页 |
| ·摩托罗拉M68HC908RF2 微控制器的简介 | 第21-24页 |
| 第三章 芯片制造的工艺流程 | 第24-37页 |
| ·半导体工艺介绍 | 第24-28页 |
| ·掩模板设计与制作 | 第24页 |
| ·单晶生长和晶圆的制造 | 第24-25页 |
| ·集成电路晶圆的生产 | 第25-26页 |
| ·集成电路的封装测试 | 第26-28页 |
| ·MC68HC908RF2 工艺介绍 | 第28-37页 |
| ·、MC68HC908RF2 前道工艺介绍 | 第28-30页 |
| ·MC68HC908RF2 微处理器中 Flash 的参数 | 第30-35页 |
| ·MC68HC908RF2 微处理器测试环境 | 第35页 |
| ·MC68HC908RF2 微处理器参数测试与功能测试 | 第35-37页 |
| 第四章 嵌入式 Flash微控制器的老化试验 | 第37-50页 |
| ·可靠性分析试验的目的与原理 | 第37-44页 |
| ·老化试验背景介绍(Burn-in) | 第37-42页 |
| ·摩托罗拉标准产品的老化试验(MBI) | 第42-44页 |
| ·高温操作寿命试验(HTOL) | 第44-45页 |
| ·10K 擦写循环应力试验(107hrs)和 T50 应力试验(130hrs) | 第45-48页 |
| ·10K 擦写循环应力试验的状态字 | 第46页 |
| ·10K 擦写循环应力试验(T50)流程 | 第46-48页 |
| ·最终测试(Final Test) | 第48-50页 |
| 第五章 可靠性试验 | 第50-60页 |
| ·微电子器件与电路的失效规律 | 第50-51页 |
| ·浴盆曲线 | 第50-51页 |
| ·筛选的目的 | 第51页 |
| ·IC 筛选主要内容和能力范围 | 第51-54页 |
| ·IC 筛选环境测试 | 第51-53页 |
| ·摩托罗拉 IC 筛选应力试验具体流程 | 第53-54页 |
| ·微电子器件的可靠性问题 | 第54-60页 |
| ·微电子器件的失效模式及失效机理 | 第55-56页 |
| ·微电子器件的失效模式及失效机理 | 第56-60页 |
| 第六章 失效分析及良品率提高 | 第60-73页 |
| ·MC68HC908RF2 生产实际状况介绍 | 第60-61页 |
| ·MC68HC908RF2 (SC510300)的试验方案简述 | 第61-62页 |
| ·MC68HC908RF2 (SC510300)的失效分析 | 第62-65页 |
| ·整板或半板失效 | 第62-63页 |
| ·老化板上的器件插槽导致 Bin2 失效 | 第63-64页 |
| ·编程干扰失效 | 第64-65页 |
| ·对编程干扰的器件进行失效分析 | 第65-68页 |
| ·温度对 Stop_IDD的影响 | 第68-69页 |
| ·MC68HC908RF2 的良品率提高 | 第69-73页 |
| ·MC68HC908RF2 的良品率研究 | 第69-72页 |
| ·MC68HC908RF2 的良品率比较 | 第72-73页 |
| 第七章 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第76-77页 |
| 附录 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
