| 第一章 绪论 | 第1-16页 |
| ·硅基发光材料的研究意义 | 第10-11页 |
| ·硅基发光材料的研究进展 | 第11-15页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 薄膜的制备和表征 | 第16-23页 |
| ·薄膜的制备 | 第16-18页 |
| ·射频磁控溅射沉积技术 | 第16-17页 |
| ·基片 | 第17-18页 |
| ·薄膜的表征 | 第18-23页 |
| ·膜厚的测量 | 第18-19页 |
| ·X射线衍射分析 | 第19-20页 |
| ·透射电子显微镜以及选区电子衍射 | 第20页 |
| ·X射线光电子谱(XPS) | 第20-21页 |
| ·傅立叶变换红外光谱(FTIR) | 第21-23页 |
| 第三章 硅基薄膜的结构 | 第23-33页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的结构 | 第23-25页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的TEM和XRD的结果 | 第23-24页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的XPS谱 | 第24-25页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜的结构 | 第25-28页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜XRD的实验结果 | 第25-26页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜FTIR的结果 | 第26-27页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜XPS的结果 | 第27-28页 |
| ·Al-Si-SiO_2薄膜结构 | 第28-29页 |
| ·Al-Si-SiO_2薄膜XRD的结果 | 第28-29页 |
| ·Al-Si-SiO_2薄膜的XPS结果 | 第29页 |
| ·Al-Ge-SiO_2薄膜结构 | 第29-31页 |
| ·Al-Ge-SiO_2薄膜的XRD的结果 | 第29-30页 |
| ·Al-Ge-SiO_2薄膜的FTIR的结果 | 第30-31页 |
| ·Al-Ge-SiO_2薄膜的XPS结果 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 硅基薄膜的光吸收特性研究 | 第33-44页 |
| ·材料的光吸收 | 第33-36页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜的光吸收特性 | 第36-41页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的光吸收特性 | 第41-42页 |
| ·Al-Si-SiO_2、Al-Ge-SiO_2薄膜的光吸收特性 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 硅基薄膜的光致发光特性研究 | 第44-53页 |
| ·光致发光的原理 | 第44页 |
| ·Si-SiO_2薄膜的光致发光特性 | 第44-47页 |
| ·Ge-SiO_2薄膜的光致发光特性 | 第47页 |
| ·Al-Si-SiO_2薄膜的光致发光特性 | 第47-48页 |
| ·Al-Ge-SiO_2薄膜的光致发光特性 | 第48-50页 |
| ·光致发光机理 | 第50-51页 |
| ·掺Al对薄膜发光的影响 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第六章 结论 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 硕士期间发表论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |