| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| ·课题的研究背景 | 第14-15页 |
| ·金属纳米颗粒膜的制备方法 | 第15-17页 |
| ·热蒸发镀膜法 | 第16页 |
| ·溅射镀膜法 | 第16页 |
| ·离子镀膜法 | 第16页 |
| ·分子束外延法 | 第16页 |
| ·电化学沉积法 | 第16-17页 |
| ·论文选题的目的和意义 | 第17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 表面纳米结构量子膜(铝、金)的制备 | 第18-37页 |
| ·表面纳米结构量子膜的制备流程以及实验器材 | 第18-20页 |
| ·超声波清洗仪 | 第19页 |
| ·真空蒸发镀膜仪 | 第19页 |
| ·低压直流溅射仪 | 第19页 |
| ·化学气相沉积仪 | 第19页 |
| ·恒温干燥箱 | 第19-20页 |
| ·半导体手动探针台 | 第20页 |
| ·实验原料 | 第20页 |
| ·纳米结构衬底的制备 | 第20-25页 |
| ·纳米结构衬底制备工艺 | 第21-22页 |
| ·纳米结构衬底的表征(SEM) | 第22-25页 |
| ·纳米结构衬底隔离层生长 | 第25-28页 |
| ·衬底隔离氧化层生长工艺 | 第26-28页 |
| ·隔离层结构表征 (SEM) | 第28页 |
| ·表面金属（铝、金）膜的制备 | 第28-35页 |
| ·蒸发镀膜制备铝量子膜 | 第29-31页 |
| ·铝量子膜的表面表征 | 第31-33页 |
| ·溅射镀膜制备金量子膜 | 第33页 |
| ·金量子膜的表面表征 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 薄膜中电子输运模型 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·drude 模型的电子输运特性 | 第38-39页 |
| ·drude 模型 | 第38页 |
| ·drude 模型中的电子动力学方程及电导率 | 第38-39页 |
| ·势垒量子遂穿模型电子输运特性 | 第39-40页 |
| ·kronig-penny 势场的电子输运模型 | 第40-46页 |
| ·kronig-penny 势场 | 第41-42页 |
| ·kronig-penny 势场中的电子能谱 | 第42-45页 |
| ·kronig-penny 势场中的电子本征函数 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 库伦阻塞效应 | 第47-57页 |
| ·库仑阻塞效应 | 第47页 |
| ·单电子充能过程 | 第47-48页 |
| ·库仑阻塞中量子态占据情况 | 第48-49页 |
| ·金属-量子岛-金属双通道结构模型 | 第49-56页 |
| ·单空穴导电过程 | 第50-51页 |
| ·单电子导电过程 | 第51-52页 |
| ·金属-量子岛-金属结构中单电子电流和偏置电压的关系 | 第52-55页 |
| ·金属-量子岛-金属结构中多电子电流和偏置电压的关系 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 金属量子膜的导电特性分析 | 第57-69页 |
| ·铝量子膜伏安特性分析 | 第57-59页 |
| ·金量子膜伏安特性分析 | 第59-68页 |
| ·线性伏安特性曲线的分析 | 第62页 |
| ·线性台阶状伏安特性曲线的分析 | 第62-65页 |
| ·指数状伏安特性曲线的分析 | 第65-66页 |
| ·指数状峰位伏安特性曲线的分析 | 第66-67页 |
| ·混合形状位伏安特性曲线的分析 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第75-76页 |
| 导师简介 | 第76-77页 |
| 作者简介 | 第77页 |