| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-9页 |
| 第二章 文献综述 | 第9-27页 |
| ·半导体激光器的发展简史 | 第9-12页 |
| ·单模激光器 | 第12-14页 |
| ·垂直腔面发射激光器 | 第14-15页 |
| ·量子级联激光器 | 第15-16页 |
| ·MBE材料生长技术 | 第16-18页 |
| ·中红外波段锑化物半导体激光器 | 第18-23页 |
| ·InGaAsSb红外探测器 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 2μm InGaAsSb／AlGaAsSb多量子阱激光器设计与优化 | 第27-59页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·GaSb基材料的基本性质 | 第27-34页 |
| ·晶格参数 | 第28-30页 |
| ·禁带宽度 | 第30-31页 |
| ·折射率 | 第31-34页 |
| ·应变量子阱的能带结构和增益谱 | 第34-51页 |
| ·含应变的哈密顿量与薛定谔方程求解 | 第34-38页 |
| ·薛定谔方程-泊松方程的自洽求解 | 第38-42页 |
| ·量子阱增益谱的推导 | 第42-46页 |
| ·InGaAsSb／AlGaAsSb多量子阱的增益谱 | 第46-51页 |
| ·AlGaAsSb／InGaAsSb激光器波导层研究 | 第51-58页 |
| ·光在多层平板波导层中的传播系数 | 第52-54页 |
| ·多波导层激光器的限制因子 | 第54-55页 |
| ·2μmAlGaAsSb／InGaAsSb激光器波导层研究 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 InGaAsSb PIN探测器性能分析 | 第59-72页 |
| ·探测器的基本参数 | 第59-63页 |
| ·探测器暗电流的理论分析 | 第63-67页 |
| ·暗电流计算结果及讨论 | 第67-69页 |
| ·探测器的探测率与R_0A | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 锑化物激光器、探测器工艺 | 第72-79页 |
| ·锑化物材料的腐蚀研究 | 第72-73页 |
| ·激光器工艺 | 第73-76页 |
| ·探测器器件工艺 | 第76页 |
| ·全息光栅刻蚀系统与相关技术 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 2μmAlGaAsSb／InGaAsSb多量子阱激光器特性研究 | 第79-90页 |
| ·AlGaAsSb／InGaAsSb多量子阱激光器 | 第79-80页 |
| ·激光器性能表征系统 | 第80-81页 |
| ·激光器性能 | 第81-89页 |
| ·平面结构激光器 | 第81-84页 |
| ·脊波导激光器 | 第84-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第七章 InGaAsSb PIN红外探测器的硫钝化研究 | 第90-100页 |
| ·InGaAsSb PIN红外探测器 | 第90-91页 |
| ·硫钝化研究的历史和现状 | 第91页 |
| ·钝化工艺与研究 | 第91-92页 |
| ·器件钝化结果 | 第92-94页 |
| ·XPS分析-硫钝化机理 | 第94-97页 |
| ·硫钝化的失效与抑制途径 | 第97-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第八章 结论 | 第100-102页 |
| 参考文献 | 第102-106页 |
| 发表文章目录 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 作者简历 | 第108-109页 |
