| 第一章 前言 | 第1-13页 |
| 1、1 碳化硅陶瓷的性能 | 第7页 |
| 1、2 各种碳化硅烧结工艺及其优缺点 | 第7-8页 |
| 1、3 反应烧结碳化硅陶瓷的性能、应用及该工艺的优点 | 第8-9页 |
| 1、4 反应烧结法工艺的局限性 | 第9-10页 |
| 1、5 有关消除RBSC材料中游离硅的研究工作的进 | 第10-11页 |
| 1、6 本论文的研究工作及意义 | 第11-13页 |
| 第二章 Si-Mo熔体浸渗法制各MoSi_2（p）/RBSC复合材料 | 第13-31页 |
| 2、1 实验过程 | 第13-18页 |
| 2、1、1 原料及坯体的制备 | 第13-14页 |
| 2、1、2 Si-Mo熔体组分的设计与制备 | 第14-17页 |
| 2、1、3 材料的烧结 | 第17页 |
| 2、1、4 材料性能的测试 | 第17-18页 |
| 2、2 结果与讨论 | 第18-30页 |
| 2、2、1 烧结温度的确定 | 第18-21页 |
| 2、2、2 Si-Mo熔体在浸渗过程中的行为 | 第21-22页 |
| 2、2、3 浸渗体中Mo含量对材料性能的影响 | 第22-25页 |
| 2、2、4 杂质对浸渗烧结的影响 | 第25-27页 |
| 2、2、5 坯体结构对浸渗烧结的影响 | 第27-29页 |
| 2、2、6 材料的室温力学性能 | 第29-30页 |
| 2、3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 预掺MoO_3颗粒法制备MoSi_2（p）/RBSC复合材料 | 第31-48页 |
| 3、1 原料的选择及其性能 | 第31-32页 |
| 3、2 原料混合物的还原过程 | 第32-34页 |
| 3、3 实验过程 | 第34-35页 |
| 3、3、1 材料制备 | 第34页 |
| 3、3、2 材料组成及其性能的测试 | 第34-35页 |
| 3、4 结果与讨论 | 第35-46页 |
| 3、4、1 浸渗烧结样品的物相及其分布 | 第35-36页 |
| 3、4、2 所得材料的室温力学性能 | 第36-38页 |
| 3、4、3 所得材料的电学性能 | 第38-39页 |
| 3、4、4 MoO_3颗粒的引入对材料烧结行为的影响 | 第39-45页 |
| 3、4、4、1 MoO_3颗粒对反应浸渗过程中毛细管孔径变化的影响 | 第39-42页 |
| 3、4、4、2 MoO_3颗粒对坯体含C量的影响 | 第42-43页 |
| 3、4、4、3 MoO_3颗粒对材料微观结构的影响 | 第43-45页 |
| 3、4、5 初始细SiC颗粒对材料性能、烧结行为的影响 | 第45-46页 |
| 3、5 本章小结 | 第46-47页 |
| 附 公式推导 | 第47-48页 |
| 第四章 结论与展望 | 第48-50页 |
| 附 实验中所用的仪器设备 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 附 攻读硕士期间发表的论文 | 第56页 |
