吸收边界条件的研究及其应用
| 第一章 绪 论 | 第1-9页 |
| 1．1 电磁学的历史与现状 | 第6-7页 |
| 1．2 本文的选题背景 | 第7-8页 |
| 1．3 本文的主要成果 | 第8-9页 |
| 第二章 基于平面波特性的吸收边界条件 | 第9-16页 |
| 2．1 引言 | 第9页 |
| 2．2 理论分析 | 第9-13页 |
| 2．3 数值验证 | 第13-15页 |
| 2．4 本章结论 | 第15-16页 |
| 第三章 基于单向波方程的二阶吸收边界条件 | 第16-26页 |
| 3．1 引言 | 第16页 |
| 3．2 单向波方程 | 第16-18页 |
| 3．3 直角坐标系中的二阶吸收边界条件 | 第18-19页 |
| 3．4 圆柱坐标系中的二阶吸收边界条件 | 第19-22页 |
| 3．5 数值验证 | 第22-23页 |
| 3．6 向三维问题的推广 | 第23-25页 |
| 3．7 本章结论 | 第25-26页 |
| 第四章 高阶吸收边界条件 | 第26-35页 |
| 4．1 引言 | 第26页 |
| 4．2 直角坐标系中的四阶吸收边界条件 | 第26-28页 |
| 4．3 圆柱坐标系中的四阶吸收边界条件 | 第28-33页 |
| 4．4 数值验证 | 第33-34页 |
| 4．5 本章结论 | 第34-35页 |
| 第五章 对MEI方法的深入认识 | 第35-41页 |
| 5．1 引言 | 第35页 |
| 5．2 MEI方法的基本理论 | 第35-36页 |
| 5．3 理论分析 | 第36-40页 |
| 5．4 本章结论 | 第40-41页 |
| 第六章 吸收边界条件在二维导体散射中的应用 | 第41-50页 |
| 6．1 引言 | 第41页 |
| 6．2 二维导体散射的一般理论 | 第41-42页 |
| 6．3 导体圆柱的散射 | 第42-46页 |
| 6．4 导体方柱的散射 | 第46-49页 |
| 6．5 本章结论 | 第49-50页 |
| 第七章 吸收边界条件在二维介质散射中的应用 | 第50-67页 |
| 7．1 引言 | 第50页 |
| 7．2 介质圆柱的散射 | 第50-58页 |
| 7．3 介质方柱的散射 | 第58-63页 |
| 7．4 介质圆环的散射 | 第63-66页 |
| 7．5 本章结论 | 第66-67页 |
| 第八章 吸收边界条件在介质覆盖导体柱散射中的应用 | 第67-76页 |
| 8．1 引言 | 第67页 |
| 8．2 介质覆盖导体圆柱的散射 | 第67-72页 |
| 8．3 介质覆盖导体方柱的散射 | 第72-74页 |
| 8．4 本章结论 | 第74-76页 |
| 第九章 MEI方法在传输线问题中的应用 | 第76-80页 |
| 9．1 引言 | 第76页 |
| 9．2 理论分析 | 第76-77页 |
| 9．3 数值结果 | 第77-78页 |
| 9．4 本章结论 | 第78-80页 |
| 结束语 | 第80-82页 |
| 致 谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 本文作者攻博期间发表或录用的论文 | 第89页 |
