薄膜体声波谐振器的时域有限差分模拟
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-9页 |
| 第二章 技术背景 | 第9-16页 |
| ·薄膜体声波谐振器的原理和结构 | 第9-10页 |
| ·薄膜体声波谐振器的材料 | 第10-11页 |
| ·薄膜体声波谐振器的建模方案 | 第11-16页 |
| ·薄膜体声波谐振器设计的解析方法 | 第11-14页 |
| ·Mason模型 | 第11-12页 |
| ·BVD模型和MBVD模型 | 第12-14页 |
| ·薄膜体声波谐振器设计的数值方法 | 第14页 |
| ·有限元法 | 第14页 |
| ·FBAR设计的方法总结 | 第14-16页 |
| 第三章 压电介质中的声波 | 第16-21页 |
| ·压电效应 | 第16-18页 |
| ·AlN和Al晶体中的压电方程 | 第18-20页 |
| ·压电材料中的波动方程 | 第20-21页 |
| 第四章 薄膜体声波谐振器的FDTD数值模型 | 第21-35页 |
| ·FBAR的控制方程 | 第21-22页 |
| ·FDTD空间和时间离散化 | 第22-24页 |
| ·FDTD空间和时间离散化 | 第22-24页 |
| ·AlN的控制方程 | 第24页 |
| ·Al的控制方程 | 第24页 |
| ·FDTD算法的数值稳定性 | 第24-26页 |
| ·时间离散间隔的稳定性要求 | 第25页 |
| ·数值色散对空间离散间隔的要求 | 第25-26页 |
| ·Courant稳定性条件 | 第26页 |
| ·激励源 | 第26-29页 |
| ·边界条件 | 第29-34页 |
| ·自由表面边界条件 | 第29-31页 |
| ·界面边界条件 | 第31-32页 |
| ·完全匹配层吸收边界条件 | 第32-34页 |
| ·总结 | 第34-35页 |
| 第五章 结果与讨论 | 第35-47页 |
| ·FBAR的阻抗特性 | 第35-39页 |
| ·高斯脉冲源激励 | 第35-36页 |
| ·时谐场源激励 | 第36-39页 |
| ·FBAR的位移分布 | 第39-42页 |
| ·FBAR薄膜中应力速度的分布 | 第42-46页 |
| ·结论与工作前景 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第50-51页 |
