| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·纳米TiO_2 | 第9-15页 |
| ·TiO_2 晶型 | 第9-11页 |
| ·纳米TiO_2 薄膜制备 | 第11-12页 |
| ·纳米TiO_2 的掺杂 | 第12-13页 |
| ·纳米TiO_2 的表征方法 | 第13-15页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第15-17页 |
| ·溶胶-凝胶法简介 | 第15-16页 |
| ·溶胶-凝胶法的影响因素 | 第16-17页 |
| ·磁控溅射技术 | 第17-19页 |
| ·磁控溅射技术简介 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射原理 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射的主要参数 | 第19页 |
| ·离子注入技术 | 第19-21页 |
| ·离子注入技术简介 | 第19-20页 |
| ·离子注入技术的原理 | 第20-21页 |
| ·离子注入技术主要参数 | 第21页 |
| ·课题背景、研究意义、研究内容及创新点 | 第21-23页 |
| ·课题背景和研究意义 | 第21-22页 |
| ·课题研究内容 | 第22页 |
| ·课题创新点 | 第22-23页 |
| 第二章 TiO_2薄膜的制备 | 第23-34页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·实验部分 | 第23-27页 |
| ·实验材料 | 第23页 |
| ·溶胶的制备 | 第23-24页 |
| ·薄膜的制备 | 第24-26页 |
| ·分析测试方法 | 第26-27页 |
| ·结果与讨论 | 第27-33页 |
| ·溶胶配比和静置时间对薄膜质量的影响 | 第27-28页 |
| ·溶胶-凝胶法不同制膜方法对薄膜质量的影响 | 第28-29页 |
| ·不同制备方法对薄膜质量的影响 | 第29-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 溶胶-凝胶法制备Ge 掺杂TiO_2薄膜及其表征 | 第34-42页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·实验部分 | 第34-36页 |
| ·实验材料 | 第34页 |
| ·3-三氯锗丙酸乙醇溶液的制备 | 第34-35页 |
| ·薄膜的制备 | 第35页 |
| ·分析测试方法 | 第35-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-41页 |
| ·不同热处理温度对薄膜的紫外可见吸收特性的影响 | 第36-37页 |
| ·掺杂量对薄膜的紫外可见吸收性能的影响 | 第37-38页 |
| ·Ge 掺杂对薄膜表面形貌、结构和表面状态的影响 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 离子注入制备Ge/Si 共掺杂磁控溅射TiO_2薄膜及其表征 | 第42-52页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·实验部分 | 第42-44页 |
| ·离子注入 | 第42-43页 |
| ·分析测试方法 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-50页 |
| ·形貌表征（AFM） | 第44-45页 |
| ·结构表征 | 第45-46页 |
| ·表面状态 | 第46-49页 |
| ·光吸收性能 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 离子注入制备Fe/Cr 共掺杂溶胶-凝胶TiO_2薄膜及其表征 | 第52-64页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·实验部分 | 第52-55页 |
| ·实验材料和设备 | 第52页 |
| ·离子注入参数 | 第52-54页 |
| ·分析测试方法 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-63页 |
| ·注入剂量对薄膜的紫外可见吸收光谱的影响 | 第55-58页 |
| ·离子掺杂对薄膜结构、表面状态和紫外吸收的影响 | 第58-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 全文总结 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
