| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 1 绪论 | 第11-36页 |
| ·纳米材料的研究概况 | 第11-12页 |
| ·一维纳米材料的优异特性及应用 | 第12-14页 |
| ·热稳定性 | 第13页 |
| ·电子传送特性 | 第13页 |
| ·光学特性 | 第13页 |
| ·半导体纳米线的激光发射特性 | 第13页 |
| ·光电导性和光学开关的特性 | 第13-14页 |
| ·SIC 一维纳米材料的优异特性及应用 | 第14-20页 |
| ·半导体SiC 的基本性质[25] | 第15-17页 |
| ·SiC 一维纳米材料的性能及应用 | 第17-20页 |
| ·SIC 一维纳米材料的制备方法 | 第20-25页 |
| ·固相法 | 第20-23页 |
| ·液相法 | 第23页 |
| ·气相法 | 第23-24页 |
| ·制备技术的比较 | 第24-25页 |
| ·高能球磨的研究概况 | 第25-33页 |
| ·高能球磨的涵义及发展概况 | 第25-26页 |
| ·高能球磨的原理 | 第26-28页 |
| ·高能球磨破碎区 | 第28-30页 |
| ·球磨设备 | 第30-31页 |
| ·高能球磨在纳米材料研究中的应用 | 第31-33页 |
| ·本论文选题背景、研究内容及创新点 | 第33-35页 |
| ·选题背景 | 第33页 |
| ·研究内容 | 第33-34页 |
| ·本课题的创新点 | 第34-35页 |
| ·项目来源 | 第35-36页 |
| 2 实验部分 | 第36-41页 |
| ·化学气相反应法（化学气相沉积法）制备SIC 一维纳米材料 | 第36页 |
| ·实验方法 | 第36-37页 |
| ·实验原料 | 第36页 |
| ·基片及原材料的预处理 | 第36-37页 |
| ·设备与仪器 | 第37-38页 |
| ·实验设备与仪器 | 第37页 |
| ·测试仪器 | 第37-38页 |
| ·实验步骤 | 第38页 |
| ·表征方法 | 第38-41页 |
| ·球磨实验的表征方法 | 第38-39页 |
| ·大量合成SiC 一维纳米材料实验的表征方法 | 第39-41页 |
| 3 原料预处理工艺研究 | 第41-63页 |
| ·光谱纯SI 粉的球磨实验结果与讨论 | 第41-50页 |
| ·分析纯SI 粉最佳预处理工艺参数的确定 | 第50-53页 |
| ·光谱纯5102 粉的球磨实验结果与讨论 | 第53-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 4 温度对SIC 一维纳米材料形貌及产量的影响 | 第63-78页 |
| ·实验过程 | 第63页 |
| ·不同温度下产物宏观和扫描电镜分析 | 第63-69页 |
| ·不同温度下典型产物的微观形貌分析 | 第69-71页 |
| ·不同温度下典型产物的化学成分分析 | 第71-72页 |
| ·无包覆层产物的晶体结构分析 | 第72页 |
| ·带有包覆层产物的红外光谱分析 | 第72-73页 |
| ·生长机理与相关热力学计算 | 第73-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 5 通气量/通气时间对大量合成SIC 一维纳米材料影响规律的研究 | 第78-90页 |
| ·通气量/通气时间的选择 | 第78-79页 |
| ·甲烷通气量影响规律的研究 | 第79-83页 |
| ·甲烷通气时间对产物量的影响 | 第83-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 6 其他工艺参数对大量合成SIC 一维纳米材料影响规律研究 | 第90-96页 |
| ·实验过程 | 第90页 |
| ·工艺参数的选择 | 第90-96页 |
| 结论 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及获奖目录 | 第106-107页 |
