| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-7页 |
| §1.1 自组织生长GeSi量子点 | 第5-6页 |
| §1.2 本文的主要工作 | 第6-7页 |
| 第二章 一维量子点阵列的制备与表征 | 第7-22页 |
| §2.1 一维量子点阵列的制备 | 第7-14页 |
| §2.1.1 分子束外延技术简介 | 第8-10页 |
| §2.1.2 一维图案衬底制备 | 第10-11页 |
| §2.1.3 一维排列量子点的生长 | 第11-14页 |
| §2.2 表征技术 | 第14-19页 |
| §2.2.1 金半接触,肖特基势垒 | 第14-15页 |
| §2.2.2 A L电极欧姆特性 | 第15-17页 |
| §2.2.3 PPMS及样品测试方法 | 第17-19页 |
| §2.3 电学测试结果 | 第19-22页 |
| 第三章 量子点阵列的低温输运性质 | 第22-27页 |
| §3.1 低温下的载流子输运理论 | 第22-24页 |
| §3.2 不同温度区间的载流子输运机制讨论 | 第24-27页 |
| 第四章 低温磁阻研究 | 第27-32页 |
| §4.1 磁阻 | 第27-28页 |
| §4.2 正磁阻---波函数收缩理论 | 第28页 |
| §4.3 负磁阻---不同跳跃路径的退相干效应 | 第28-29页 |
| §4.4 负磁阻---磁场导致的定域化长度变化效应 | 第29页 |
| §4.5 实验结果讨论 | 第29-32页 |
| 参考文献 | 第32-33页 |
| 发表文章 | 第33页 |
| 会议文章 | 第33-34页 |
| 致谢 | 第34-35页 |