| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-12页 |
| ·研究内容 | 第12-14页 |
| 第二章 ZnO半导体薄膜的性质和应用 | 第14-26页 |
| ·ZnO薄膜的性质 | 第14-18页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第14页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·光学性质 | 第15-16页 |
| ·电学性质 | 第16-17页 |
| ·磁学性质(ZnO基稀磁半导体) | 第17-18页 |
| ·ZnO半导体薄膜的应用领域 | 第18-22页 |
| ·压电器件 | 第18-19页 |
| ·压敏器件 | 第19页 |
| ·气敏器件 | 第19-20页 |
| ·紫外光探测器 | 第20页 |
| ·太阳能电池 | 第20-21页 |
| ·发光器件 | 第21页 |
| ·其他应用 | 第21-22页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第22-26页 |
| ·磁控溅射法 | 第22页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD)法 | 第22-23页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)法 | 第23-24页 |
| ·分子束外延(MBE)法和激光分子束外延(LMBE)法 | 第24-26页 |
| 第三章 ZnO薄膜的制备和表征 | 第26-39页 |
| ·磁控溅射法制备ZnO薄膜的原理和特点 | 第26-33页 |
| ·磁控溅射法制备ZnO薄膜的原理 | 第26-30页 |
| ·磁控溅射法制备ZnO薄膜的特点 | 第30-31页 |
| ·磁控溅射设备简述 | 第31-33页 |
| ·ZnO薄膜的制备过程与表征 | 第33-38页 |
| ·掺铁ZnO靶材的制备 | 第33页 |
| ·掺铁ZnO薄膜的制备 | 第33-34页 |
| ·薄膜的生长 | 第34-37页 |
| ·薄膜的表征 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 磁控溅射法各参数对掺铁ZnO薄膜结构和电学性质的影响 | 第39-57页 |
| ·ZnO:Fe薄膜的XRD结构分析研究 | 第39-41页 |
| ·各掺杂浓度ZnO:Fe/Si异质结整流特性的研究 | 第41-56页 |
| ·溅射时间相同工作气压不同时对各掺杂浓度薄膜的影响 | 第41-47页 |
| ·溅射工作气压相同时间不同时对各掺杂浓度薄膜的影响 | 第47-52页 |
| ·铁元素掺杂浓度对ZnO薄膜性质的影响 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
