| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| ·纳米材料简介 | 第11-17页 |
| ·纳米材料技术的发展 | 第12-13页 |
| ·纳米材料的分类 | 第13-14页 |
| ·纳米材料的性质 | 第14-17页 |
| ·一维纳米材料概述 | 第17-22页 |
| ·一维纳米材料的简介与研究意义 | 第17-18页 |
| ·一维纳米材料的分类 | 第18-19页 |
| ·纳米线的几种生长机制 | 第19-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 纳米材料表征技术 | 第25-39页 |
| ·纳米材料的主要观测方法 | 第25-34页 |
| ·扫描电子显微镜 (SEM) | 第25-27页 |
| ·透射电子显微镜 (TEM) | 第27-30页 |
| ·X 射线衍射(XRD)分析仪 | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜 (AFM) | 第31-34页 |
| ·光谱探测方法及仪器介绍 | 第34-38页 |
| ·光谱仪介绍 | 第34-35页 |
| ·拉曼光谱原理介绍 | 第35-36页 |
| ·光致发光原理介绍 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 第三章 纳米尺度多孔磷化镓的制备与形成机理研究 | 第39-62页 |
| ·孔刻蚀技术与多孔结构研究现状 | 第39-46页 |
| ·硅 | 第40-42页 |
| ·III-V 族材料 | 第42-46页 |
| ·多孔刻蚀半导体的应用 | 第46-47页 |
| ·多孔磷化镓的制备与形成机理研究 | 第47-59页 |
| ·实验步骤与制备参数 | 第48页 |
| ·多孔磷化镓的测试与表征 | 第48-54页 |
| ·磷化镓纳米孔形成机理研究 | 第54-59页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第四章 单晶氧化镓纳米线薄膜的制备与性能研究 | 第62-79页 |
| ·镓和氧化镓的物理化学性质 | 第62-63页 |
| ·β--Ga_2O_3准一维半导体纳米材料研究现状和意义 | 第63-66页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米线的制备方法 | 第63-66页 |
| ·实验简介 | 第66-68页 |
| ·GL-10 型管式真空炉简介 | 第66-67页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米线的制备过程 | 第67-68页 |
| ·β--Ga_2O_3纳米线的形貌和结构表征 | 第68-71页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米线的形成机理分析 | 第71-73页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米线的光学性能研究 | 第73-76页 |
| ·Raman 实验 | 第73页 |
| ·光致发光实验 | 第73-76页 |
| ·结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 单晶氧化镓纳米线薄膜表面疏水性和光诱导湿转换性能的研究 | 第79-95页 |
| ·引言 | 第79-81页 |
| ·材料表面超疏水的原理 | 第81-83页 |
| ·超疏水到超亲水转换的研究现状 | 第83-84页 |
| ·氧化镓纳米结构的可湿性研究 | 第84-90页 |
| ·结论 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 第六章 结论 | 第95-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文与获得的奖励 | 第98-99页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第99-101页 |