摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-14页 |
第1章 绪论 | 第14-33页 |
·引言 | 第14-15页 |
·纳米材料的特性 | 第15-19页 |
·纳米材料的电学性能 | 第16-17页 |
·纳米材料的光学性能 | 第17-18页 |
·纳米材料的力学性能 | 第18-19页 |
·一维纳米结构的生长机理 | 第19-22页 |
·气液固(VLS)机制 | 第20页 |
·气固(VS)生长机制 | 第20-22页 |
·一维Si_3N_4 纳米材料的研究现状 | 第22-25页 |
·一维Si_3N_4 纳米材料的性能 | 第22-23页 |
·一维Si_3N_4 纳米材料的制备 | 第23-25页 |
·一维Sialon 纳米材料的研究现状 | 第25-31页 |
·Sialon 的基本结构 | 第25-29页 |
·一维Sialon 纳米材料的合成 | 第29-31页 |
·研究目的及主要内容 | 第31-33页 |
·研究目的 | 第31页 |
·创新点 | 第31-32页 |
·研究内容 | 第32-33页 |
第2章 试验材料及研究方法 | 第33-41页 |
·原材料及仪器 | 第33-35页 |
·主要原料 | 第33-34页 |
·仪器设备 | 第34-35页 |
·先驱体性质及成分分析 | 第35-38页 |
·红外光谱分析 | 第35页 |
·差热-热重分析 | 第35-36页 |
·X-射线电子能谱(XPS)分析 | 第36-37页 |
·交联体热分解 | 第37页 |
·先驱体物相分析 | 第37页 |
·粉末的透射电镜(TEM)形貌观察 | 第37-38页 |
·准一维纳米材料的表征与性能测试 | 第38-41页 |
·扫描电镜 | 第38-39页 |
·透射电镜 | 第39页 |
·光学性能测试 | 第39-40页 |
·电学性能测试 | 第40-41页 |
第3章 SiONCH-Al先驱体的制备及表征 | 第41-55页 |
·引言 | 第41页 |
·SiONCH 凝胶的合成方案设计 | 第41-44页 |
·SiONCH-Al 先驱体的制备工艺 | 第44-46页 |
·实验结果及分析 | 第46-51页 |
·SiONCH-Al 先驱体的交联反应 | 第46-47页 |
·SiONCH-Al 先驱体的组成与结构 | 第47-50页 |
·SiONCH-Al 先驱体粉末SEM 和XRD 分析 | 第50-51页 |
·SiONCH-Al 先驱体的热解 | 第51-54页 |
·本章小结 | 第54-55页 |
第4章 一维Sialon纳米带的合成与表征 | 第55-85页 |
·引言 | 第55-56页 |
·计算设计原理 | 第56-61页 |
·平衡常数 | 第56-58页 |
·气压对相平衡的影响 | 第58-61页 |
·Sialon 纳米带的合成 | 第61-70页 |
·合成工艺 | 第61-64页 |
·典型Sialon 纳米带的表征 | 第64-70页 |
·反应条件对产物的影响 | 第70-81页 |
·热处理温度和保温时间的影响 | 第70-76页 |
·原料配比对相结构的影响 | 第76-78页 |
·气氛压力的影响 | 第78-81页 |
·大尺度合成Sialon 纳米带工艺设计 | 第81-84页 |
·本章小结 | 第84-85页 |
第5章 Sialon纳米带的生长机理 | 第85-96页 |
·引言 | 第85页 |
·Sialon 纳米带的VS 生长机制 | 第85-87页 |
·过饱和度的影响 | 第87-89页 |
·β-Sialon 纳米带的形成过程 | 第89-92页 |
·Sialon 纳米双晶带的形成过程 | 第92-95页 |
·本章小结 | 第95-96页 |
第6章 Sialon纳米带的性能研究 | 第96-119页 |
·引言 | 第96页 |
·Sialon 纳米带的红外光谱、X 射线光电子能谱及氮吸附 | 第96-98页 |
·Sialon 纳米带的光学性能研究 | 第98-101页 |
·Sialon 纳米带的电学性能研究 | 第101-118页 |
·场效应晶体管(MOSFET)的基本结构和工作原理 | 第102-105页 |
·Sialon 纳米带器件的结构 | 第105-107页 |
·Sialon 纳米带器件的电输运性质 | 第107-110页 |
·Sialon 纳米带器件在探测器中的应用 | 第110-118页 |
·本章小结 | 第118-119页 |
结论与展望 | 第119-121页 |
参考文献 | 第121-136页 |
攻读博士学位期间所发表的学术论文及专利 | 第136-138页 |
致谢 | 第138-139页 |
个人简历 | 第139页 |