| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·氧化锌晶体结构与基本物性 | 第9-11页 |
| ·ZnO的缺陷 | 第11-13页 |
| ·ZnO基稀磁半导体 | 第13-14页 |
| ·ZnO的应用 | 第14-16页 |
| ·辐照ZnO的研究现状 | 第16-18页 |
| ·本工作的研究目的和意义 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 基础理论 | 第21-44页 |
| ·射线的种类及与物质的相互作用 | 第21-22页 |
| ·中子与物质的相互作用 | 第22-36页 |
| ·中子的基本性质及能量划分 | 第22页 |
| ·中子源 | 第22-24页 |
| ·中子与原子核的相互作用 | 第24-26页 |
| ·中子反应截面 | 第26-28页 |
| ·实验辐照中子能量的选取 | 第28-36页 |
| ·半导体的辐照效应 | 第36-42页 |
| ·电离效应 | 第37-39页 |
| ·非平衡载流子的复合 | 第37-38页 |
| ·过剩载流子的俘获 | 第38-39页 |
| ·缺陷能级的载流子俘获截面 | 第39页 |
| ·位移效应 | 第39-42页 |
| ·位移过程描述 | 第40-41页 |
| ·位移损伤缺陷 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 中子发生器和测量表征方法 | 第44-48页 |
| ·兰州大学强流中子发生器 | 第44-45页 |
| ·测量表征方法 | 第45-47页 |
| ·X-ray衍射(XRD) | 第45-46页 |
| ·光致发光(Photoluminescence-PL) | 第46-47页 |
| ·紫外-可见光透射(UV-vis) | 第47页 |
| 参考文献 | 第47-48页 |
| 第四章 (Co,Cu):ZnO及ZnO单晶的快中子辐照损伤研究 | 第48-65页 |
| ·实验过程 | 第48-50页 |
| ·辐照前样品的准备 | 第48页 |
| ·实验条件 | 第48-50页 |
| ·样品的结构及物相分析 | 第50-53页 |
| ·样品的PL分析 | 第53-58页 |
| ·样品的透射谱分析 | 第58-61页 |
| ·样品的带隙分析 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-66页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |