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高压电场对玻璃的结构与性能影响

摘要第1-8页
Abstract第8-15页
第1章 绪论第15-43页
   ·引言第15-16页
   ·辅助电场处理技术在玻璃制备中的应用现状第16-19页
     ·电场下玻璃的离子迁移及玻璃结构研究第16-18页
     ·辅助电场下玻璃分相与析晶的研究第18-19页
   ·浮法玻璃化学稳定性的研究现状第19-33页
     ·玻璃表面的化学稳定性第19-24页
     ·浮法玻璃的化学组成和表面结构第24-29页
     ·玻璃风化理论的研究现状第29-33页
   ·极性微晶玻璃定向析晶研究现状第33-40页
     ·微晶玻璃晶粒定向生长及其主要方法第33-35页
     ·钡钛硅石体系的研究现状第35-38页
     ·Sr_2TiSi_2O_8极性微晶玻璃研究现状第38-40页
   ·本研究工作的目的、意义及研究思路、内容第40-43页
     ·研究目的和意义第40-41页
     ·研究思路和内容第41-43页
第2章 实验仪器及性能结构测试第43-51页
   ·引言第43页
   ·实验设备、分析测试仪器简介第43-45页
   ·加速风化试验第45-46页
   ·耐水性试验第46-47页
   ·测试方法及结构性能表征第47-51页
     ·浮法玻璃的结构与性能测试第47-49页
     ·STS极性微晶玻璃的结构与性能测试第49-51页
第3章 高压电场对浮法玻璃结构的影响第51-76页
   ·实验流程第51-52页
   ·玻璃试样的制备第52-53页
     ·玻璃试样的准备第52页
     ·玻璃试样的分组实验第52页
     ·高压电场处理试验第52-53页
   ·实验结果及讨论第53-64页
     ·电场处理温度对浮法玻璃结构的影响第53-56页
     ·电场处理时间对浮法玻璃结构的影响第56-58页
     ·电场强度对玻璃结构的影响第58-59页
     ·辉光放电光谱仪(GD-OES)测试结果及分析第59-60页
     ·X射线光电子能谱测试结果及分析第60-62页
     ·场发射扫描电镜能谱测试结果及分析第62-64页
   ·电场温度场下玻璃离子迁移扩散机理第64-74页
     ·玻璃离子迁移扩散的机理和动力学第64-69页
     ·电场温度场下Na~+离子迁移第69-72页
     ·影响玻璃离子迁移扩散的因素第72-74页
   ·小结第74-76页
第4章 高压电场对浮法玻璃性能的影响第76-84页
   ·玻璃试样的制备第76-77页
     ·人工风化实验第76页
     ·表面耐水性试验第76-77页
   ·高压电场对玻璃耐水性的影响第77-81页
     ·电场处理时间对耐水性的影响第77-78页
     ·电场强度与泄露电流的影响第78-80页
     ·电场处理温度的影响第80-81页
   ·人工加速风化后玻璃表面形貌第81-82页
   ·小结第82-84页
第5章 SrO-TiO_2-SiO_2极性微晶玻璃高压电场辅助恒温定向析晶第84-105页
   ·引言第84-85页
   ·极性微晶玻璃制备技术第85-91页
     ·梯温场定向析晶工艺第85-86页
     ·恒温场定向析晶工艺第86-89页
     ·Sr2TiSi2O8玻璃基础玻璃组成的选择第89-90页
     ·电场辅助恒温定向析晶生长工艺第90-91页
   ·性能测定与结构分析第91-92页
   ·实验结果及讨论第92-101页
     ·John-Mehl-Avrami方程及差热分析第92-97页
     ·电场辅助析晶下活化能计算第97-98页
     ·晶体生长特性第98-99页
     ·Sr2TiSi2O8定向晶化生长指数第99-100页
     ·性能与显微结构第100-101页
   ·Sr2TiSi2O8极性微晶玻璃的性能第101-103页
     ·Sr2TiSi2O8微晶玻璃的压电性能第101-102页
     ·非线性光学性能-二次谐波产生(SHG)第102-103页
   ·小结第103-105页
第6章 高压电场辅助恒温定向析晶机理第105-115页
   ·引言第105页
   ·电场恒温场下玻璃离子迁移研究第105-107页
     ·电场温度场中玻璃内部的Ti离子迁移第106-107页
   ·玻璃-晶体转变产生的体积效应第107-108页
   ·极性微晶玻璃偶极子模型第108-110页
   ·高压电场对晶体生长的影响机理第110-112页
   ·EDL效应对晶体生长的影响第112-113页
   ·小结第113-115页
第7章 结论与展望第115-118页
   ·主要结论第115-116页
   ·展望第116-118页
参考文献第118-129页
致谢第129-130页
附录第130页

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