| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 1 引言 | 第12-13页 |
| 2 绪论 | 第13-59页 |
| 2.1 二维层状材料的概述 | 第13-16页 |
| 2.2 二维二硫化钼(MoS_2)简介 | 第16-27页 |
| 2.2.1 二维MoS_2的基本结构 | 第16-18页 |
| 2.2.2 二维MoS_2的制备方法 | 第18-25页 |
| 2.2.3 二维MoS_2的表征方法 | 第25-27页 |
| 2.3 二维MoS_2的光电器件和电子器件 | 第27-45页 |
| 2.3.1 基于二维MoS_2的光电器件构筑方法 | 第27-33页 |
| 2.3.2 二维MoS_2场效应晶体管 | 第33-36页 |
| 2.3.3 二维MoS_2光电晶体管 | 第36-39页 |
| 2.3.4 基于二维MoS_2的异质结型电子器件 | 第39-42页 |
| 2.3.5 基于二维MoS_2的异质结型光电器件 | 第42-45页 |
| 2.4 二维MoS_2的缺陷特征与缺陷调控研究 | 第45-57页 |
| 2.4.1 二维MoS_2的缺陷类型与调控策略 | 第46-48页 |
| 2.4.2 缺陷工程调控二维MoS_2的光学性质 | 第48-51页 |
| 2.4.3 缺陷工程调控二维MoS_2的电学性质 | 第51-54页 |
| 2.4.4 缺陷工程调控二维MoS_2的其他性质 | 第54-57页 |
| 2.5 研究目的与内容 | 第57-59页 |
| 3 二维MoS_2的制备与转移 | 第59-71页 |
| 3.1 氧辅助的化学气相沉积法制备二维MoS_2 | 第59-64页 |
| 3.1.1 实验设备与预处理 | 第59-61页 |
| 3.1.2 氧气流量对二维MoS_2的生长调控 | 第61-63页 |
| 3.1.3 硫源温度对二维MoS_2的生长调控 | 第63-64页 |
| 3.1.4 缺陷对二维MoS_2化学稳定性的影响 | 第64页 |
| 3.2 两步法制备大面积二维MoS_2 | 第64-66页 |
| 3.3 微机械力剥离法制备二维MoS_2 | 第66-68页 |
| 3.4 二维MoS_2的转移 | 第68-70页 |
| 3.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 4 二维MoS_2缺陷自修复及其水平同质结性能研究 | 第71-90页 |
| 4.1 硫空位自修复调控二维MoS_2的光电性质 | 第72-78页 |
| 4.2 二维MoS_2硫空位自修复的机理研究 | 第78-81页 |
| 4.3 二维MoS_2水平同质结的电学性能 | 第81-86页 |
| 4.4 二维MoS_2水平同质结的光电性能 | 第86-88页 |
| 4.5 本章小结 | 第88-90页 |
| 5 二维MoS_2缺陷设计及其垂直同质结性能研究 | 第90-111页 |
| 5.1 MoS_2垂直同质结的构筑 | 第90-94页 |
| 5.2 MoS_2垂直同质结的层间耦合行为调控 | 第94-104页 |
| 5.3 MoS_2垂直同质结的层间激子行为研究 | 第104-108页 |
| 5.4 MoS_2垂直同质结的光电性能 | 第108-110页 |
| 5.5 本章小结 | 第110-111页 |
| 6 二维MoS_2缺陷浓度调控及其电子输运行为研究 | 第111-130页 |
| 6.1 氢气退火调控二维MoS_2硫空位浓度研究 | 第112-114页 |
| 6.2 硫空位浓度对二维MoS_2电子输运行为的调控研究 | 第114-121页 |
| 6.3 硫空位浓度对二维MoS_2电子器件的性能优化 | 第121-127页 |
| 6.4 缺陷浓度调控其他二维半导体电荷输运行为 | 第127-129页 |
| 6.5 本章小结 | 第129-130页 |
| 7 结论 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-150页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第150-155页 |
| 学位论文数据集 | 第155页 |
