| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-31页 |
| ·引言 | 第12-14页 |
| ·纳米材料的基本物理特性 | 第14-15页 |
| ·纳米材料的合成方法 | 第15-20页 |
| ·气相生长法 | 第16-17页 |
| ·液相生长法 | 第17-19页 |
| ·模板法 | 第19页 |
| ·电化学沉积生长法 | 第19-20页 |
| ·纳米光子学的研究内容及进展 | 第20-30页 |
| ·光子学的发展历程 | 第20页 |
| ·纳米光子学的研究内容及进展 | 第20-30页 |
| ·本论文的研究目的、研究内容及意义 | 第30-31页 |
| 第2章 ZnS基半导体纳米分支结构的合成及发光性能 | 第31-46页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·实验过程 | 第31-32页 |
| ·结果与分析讨论 | 第32-44页 |
| ·ZnS模板纳米线的表征 | 第32-34页 |
| ·ZnS-CdS纳米线的表征 | 第34-35页 |
| ·ZnS-CdS纳米线的表征 | 第35-36页 |
| ·Zn_xCd_(1-x)S-CdS纳米结构的表征 | 第36-37页 |
| ·光致发光(PL)表征 | 第37-38页 |
| ·六重对称CdS分支纳米结构的表征 | 第38-42页 |
| ·六重对称ZnS-ZnO纳米异质结的表征 | 第42-44页 |
| ·本章总结 | 第44-46页 |
| 第3章 掺杂Ⅱ-Ⅵ族低维纳米结构的合成与光子学性能 | 第46-71页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·Sn掺杂CdS微纳结构的合成与发光性能 | 第46-55页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验过程 | 第47页 |
| ·样品产物的SEM、EDS、XRD表征 | 第47-49页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第49-50页 |
| ·掺杂对发光性能的影响 | 第50-54页 |
| ·搀杂过程及声子辅助发光机理小结 | 第54-55页 |
| ·Mn掺杂ZnSe纳米结构的合成与光子学性能 | 第55-63页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·实验过程 | 第55页 |
| ·结构表征 | 第55-56页 |
| ·光学表征 | 第56-63页 |
| ·发光及受激发射机理小结 | 第63页 |
| ·In(Ⅲ)掺杂ZnTe纳米结构的合成与光学特性 | 第63-70页 |
| ·引言 | 第63-64页 |
| ·实验过程 | 第64页 |
| ·形貌与结构表征 | 第64-66页 |
| ·光学特性 | 第66-70页 |
| ·发光波长可调的机理小结 | 第70页 |
| ·本章总结 | 第70-71页 |
| 第4章 单基片成分可调合金纳米结构制备与调谐激射 | 第71-79页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·实验过程 | 第71-72页 |
| ·结果与讨论 | 第72-78页 |
| ·形貌、组分与结构表征 | 第72-74页 |
| ·组分与发光可调 | 第74-76页 |
| ·受激发射机理与激光可调 | 第76-78页 |
| ·本章总结 | 第78-79页 |
| 第5章 氧化物体系纳米结构合成与发光性能 | 第79-96页 |
| ·引言 | 第79页 |
| ·SnO_2一维纳米结构的合成、光学性能与束缚激子 | 第79-88页 |
| ·引言 | 第79页 |
| ·实验过程 | 第79-80页 |
| ·形貌与结构分析 | 第80-81页 |
| ·吸收光谱与受激发射 | 第81-85页 |
| ·拉曼散射光谱与束缚激子 | 第85-88页 |
| ·受激发射机理小结 | 第88页 |
| ·各种形貌的ZnO纳米结构与光学性能 | 第88-94页 |
| ·引言 | 第88页 |
| ·实验过程 | 第88-89页 |
| ·形貌表征与相应的发光性能 | 第89-94页 |
| ·发光及形貌与合成条件的依赖关系小结 | 第94页 |
| ·本章总结 | 第94-96页 |
| 结论与展望 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-114页 |
| 附录A 攻读博士学位期间发表或投出论文 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115页 |
