摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
1 绪论 | 第12-33页 |
1.1 引言 | 第12页 |
1.2 核辐射探测材料的发展 | 第12-19页 |
1.3 CsPbBr_3的国内外研究进展 | 第19-23页 |
1.4 CsPbBr_3的基本性质 | 第23-26页 |
1.5 熔体法晶体生长基本方法和生长原理 | 第26-32页 |
1.6 本论文主要研究内容 | 第32-33页 |
2 实验制备方法和表征方法 | 第33-52页 |
2.1 实验原料和实验设备 | 第33-35页 |
2.2 CsPbBr_3晶体结构的表征方法 | 第35-40页 |
2.3 CsPbBr_3晶体性能的表征方法 | 第40-49页 |
2.4 研究方案和技术路线 | 第49-52页 |
3 CsPbBr_3多晶粉体的制备与物性研究 | 第52-69页 |
3.1 CsPbBr_3多晶粉体的化学共沉淀法合成 | 第52-60页 |
3.2 CsPbBr_3多晶粉体的高温固相法合成 | 第60-63页 |
3.3 CsPbBr_3多晶粉体的物性研究 | 第63-68页 |
3.4 本章小结 | 第68-69页 |
4 CsPbBr_3单晶的熔体法生长和晶体结构研究 | 第69-89页 |
4.1 CsPbBr_3单晶的电控动态梯度凝固法生长 | 第69-74页 |
4.2 CsPbBr_3单晶的成分分析与均匀性研究 | 第74-79页 |
4.3 CsPbBr_3单晶的X射线衍射结构研究 | 第79-82页 |
4.4 CsPbBr_3单晶的电子衍射结构研究 | 第82-88页 |
4.5 本章小结 | 第88-89页 |
5 CsPbBr_3晶体的本征缺陷和机理研究 | 第89-113页 |
5.1 CsPbBr_3晶体的载流子迁移率寿命积 | 第89-92页 |
5.2 CsPbBr_3晶体本征缺陷的理论分析 | 第92-95页 |
5.3 CsPbBr_3晶体本征缺陷的热激电流谱研究 | 第95-107页 |
5.4 CsPbBr_3晶体掺杂性能改性研究 | 第107-111页 |
5.5 本章小结 | 第111-113页 |
6 CsPbBr_3单晶的性能表征 | 第113-130页 |
6.1 CsPbBr_3单晶的性能表征 | 第113-121页 |
6.2 CsPbBr_3光电探测器件的制备及对单色光的探测响应 | 第121-124页 |
6.3 CsPbBr_3光电探测器件对X射线的探测响应 | 第124-127页 |
6.4 CsPbBr_3光电探测器件对γ射线的探测响应 | 第127-129页 |
6.5 本章小结 | 第129-130页 |
7 总结与展望 | 第130-133页 |
7.1 全文总结 | 第130-132页 |
7.2 未来展望 | 第132-133页 |
致谢 | 第133-135页 |
参考文献 | 第135-154页 |
附录1 攻读博士学位期间发表的学术论文和发明专利 | 第154-155页 |