摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-25页 |
1.1 过渡金属硫族化物的概述 | 第10-12页 |
1.2 巨磁阻效应 | 第12-13页 |
1.3 WTE_2的研究现状 | 第13-18页 |
1.4 本文的主要研究内容 | 第18-19页 |
1.5 参考文献 | 第19-25页 |
第二章 理论基础与计算方法 | 第25-36页 |
2.1 薛定谔方程 | 第25-26页 |
2.2 Born-Oppenheimer近似 | 第26-28页 |
2.3 密度泛函理论 | 第28-31页 |
2.4 局域密度近似和广义梯度近似 | 第31-33页 |
2.5 VASP软件包 | 第33页 |
2.6 参考文献 | 第33-36页 |
第三章 RETATE_4层状材料的结构和电子性质的研究 | 第36-47页 |
3.1 WTE_2的能带结构与晶胞大小的调控影响 | 第36-39页 |
3.2 RETATE4材料的结构和结合能 | 第39-42页 |
3.3 RETATE4的电子结构和磁电阻分析 | 第42-45页 |
3.4 小结 | 第45-46页 |
3.5 参考文献 | 第46-47页 |
第四章 MOB_2X材料的电子性质研究 | 第47-60页 |
4.1 双面层状材料简介 | 第47-48页 |
4.2 双面MOB_2X二维单层材料的结构和稳定性 | 第48-51页 |
4.3 双面MOB_2X二维单层材料的电子性质 | 第51-57页 |
4.4 小结 | 第57页 |
4.5 参考文献 | 第57-60页 |
第五章 全文总结及展望 | 第60-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
攻读硕士学位期间论文发表情况 | 第63-64页 |