| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 相变存储器的特点、应用以及原理 | 第14-16页 |
| 1.1.1 相变存储器的特点 | 第14页 |
| 1.1.2 相变存储器的应用 | 第14-16页 |
| 1.1.3 相变存储器的原理 | 第16页 |
| 1.2 相变材料所具备的基本特性,应用及原理 | 第16-19页 |
| 1.2.1 相变材料所具备的的基本特性和应用 | 第16-18页 |
| 1.2.2 相变材料的原理 | 第18-19页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第19-22页 |
| 1.4 研究目的、选题意义和内容 | 第22-23页 |
| 1.4.1 研究目的 | 第22页 |
| 1.4.2 选题意义 | 第22页 |
| 1.4.3 研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 试验材料设备及方法 | 第23-27页 |
| 2.1 试验材料 | 第23页 |
| 2.2 试验设备 | 第23-25页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第23-24页 |
| 2.2.2 紫外线光刻装置 | 第24页 |
| 2.2.3 3w装置 | 第24-25页 |
| 2.2.4 试样性质测试装置 | 第25页 |
| 2.3 试验方法 | 第25-27页 |
| 第3章 3w装置构造和样品的制备 | 第27-38页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 3w理论 | 第27-29页 |
| 3.3 3w装置 | 第29-32页 |
| 3.3.1 3w装置硬件 | 第30-32页 |
| 3.3.2 3w软件 | 第32页 |
| 3.4 3w电极结构设计 | 第32-34页 |
| 3.5 沉积薄膜 | 第34页 |
| 3.6 光刻 | 第34-37页 |
| 3.7 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 Sb_2Te_3和Sb_2Te薄膜的热传导测量及机理分析 | 第38-47页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 Sb_2Te_3和Sb_2Te试样及3w法结构的制备 | 第38页 |
| 4.3 Sb_2Te_3和Sb_2Te试样性质的检测 | 第38-42页 |
| 4.4 热传导的测量及机理讨论 | 第42-46页 |
| 4.4.1 热传导测量 | 第42页 |
| 4.4.2 热传导机理讨论 | 第42-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 N掺杂Ge2Sb_2Te_5相变存储薄膜的热传导机理研究 | 第47-72页 |
| 5.1 引言 | 第47页 |
| 5.2 磁控溅射沉积功率的确定 | 第47-49页 |
| 5.3 沉积功率为20W时N掺杂GST薄膜的制备及性能检测 | 第49-57页 |
| 5.3.1 氮氩流量比及沉积时间的确定 | 第49-50页 |
| 5.3.2 N掺杂GST的化学键分析以及氮含量的确定 | 第50-53页 |
| 5.3.3 沉积态下N掺杂GST薄膜的热电性质测量 | 第53-57页 |
| 5.4 沉积功率为60W时N掺杂GST薄膜的制备及性能检测 | 第57-71页 |
| 5.4.1 氮氩流量比及沉积时间的确定 | 第57-59页 |
| 5.4.2 沉积态下N掺杂GST化学键分析以及氮含量确定 | 第59-62页 |
| 5.4.3 沉积态下N掺杂GST薄膜的热导率测量 | 第62-65页 |
| 5.4.4 退火态下N掺杂GST试样性质的检测 | 第65-67页 |
| 5.4.5 退火态下N掺杂GST薄膜的热电性质测量 | 第67-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
