单层过渡金属二硫化物双势垒输运性质的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 过渡金属二硫化物的结构 | 第9-11页 |
| 1.2 过渡金属二硫化物的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.2.1 机械剥离法 | 第11页 |
| 1.2.2 锂离子剥离法 | 第11页 |
| 1.2.3 液相剥离法 | 第11-12页 |
| 1.2.4 气相沉淀法 | 第12页 |
| 1.2.5 其他方法 | 第12-13页 |
| 1.3 单层过渡金属二硫化物的性质及应用 | 第13-16页 |
| 1.3.1 电学性质及应用 | 第13页 |
| 1.3.2 光学性质及应用 | 第13-14页 |
| 1.3.3 电化学性质及应用 | 第14页 |
| 1.3.4 其他性质及利用 | 第14-16页 |
| 1.4 输运相关的介绍 | 第16-19页 |
| 1.4.1 能谷 | 第16页 |
| 1.4.2 谷电子学 | 第16页 |
| 1.4.3 谷极化 | 第16-19页 |
| 1.5 本论文拟展开的研究工作 | 第19页 |
| 1.6 本章小结 | 第19-21页 |
| 第2章 模型与方法 | 第21-31页 |
| 2.1 三能带紧束缚模型 | 第21-24页 |
| 2.2 格林函数 | 第24-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 单层TMDCs双势垒输运性质的计算 | 第31-47页 |
| 3.1 计算背景 | 第31-32页 |
| 3.2 计算模型与方法 | 第32-37页 |
| 3.3 结果讨论 | 第37-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
