学位论文数据集 | 第3-4页 |
摘要 | 第4-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第14-28页 |
1.1 引言 | 第14-15页 |
1.2 太阳能薄膜电池简介 | 第15-18页 |
1.3 CuInS_2薄膜材料 | 第18-20页 |
1.4 CuFeO_2薄膜材料 | 第20-21页 |
1.5 CO_2的光电催化 | 第21-26页 |
1.5.1 光催化 | 第21-23页 |
1.5.2 电催化 | 第23-25页 |
1.5.3 光电催化 | 第25-26页 |
1.6 本论文的研究内容和意义 | 第26-28页 |
1.6.1 研究内容 | 第26-27页 |
1.6.2 研究意义 | 第27-28页 |
第二章 电沉积法制备CuInS_2-CuFeO_2复合材料和光电还原实验 | 第28-36页 |
2.1 引言 | 第28页 |
2.2 实验部分 | 第28-30页 |
2.2.1 实验材料 | 第28-29页 |
2.2.2 实验仪器 | 第29-30页 |
2.3 材料制备 | 第30-33页 |
2.3.1 基底处理 | 第30-31页 |
2.3.2 CuInS_2薄膜的制备 | 第31页 |
2.3.3 CuInS_2材料的预处理 | 第31-32页 |
2.3.4 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的制备 | 第32页 |
2.3.5 CuInS_2-CuFeO_2复合材料制备方法的选择 | 第32-33页 |
2.4 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的光电还原实验 | 第33-34页 |
2.5 复合薄膜的光电性能及主要表征 | 第34-36页 |
第三章 不同制备条件和还原条件对CuInS_2-CuFeO_2复合材料的影响 | 第36-50页 |
3.1 CuInS_2薄膜制备条件的选择 | 第36-38页 |
3.1.1 CuInS_2薄膜制备退火温度的选择 | 第36-37页 |
3.1.2 CuInS_2薄膜制备S粉加入量的选择 | 第37-38页 |
3.2 CuInS_2薄膜预处理 | 第38-42页 |
3.2.1 CuInS_2薄膜表面预处理的表征 | 第38-41页 |
3.2.2 CuInS_2薄膜预处理方法选择 | 第41-42页 |
3.3 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的制备条件的选择 | 第42-46页 |
3.3.1 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的制备方法 | 第42-44页 |
3.3.2 CuInS_2-CuFeO_2复合材料沉积电位的选择 | 第44页 |
3.3.3 CuInS_2-CuFeO_2复合材料沉积时间的选择 | 第44-45页 |
3.3.4 CuInS_2-CuFeO_2复合材料煅烧温度的选择 | 第45-46页 |
3.4 CO_2光电催化还原条件的选择 | 第46-49页 |
3.4.1 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的线性伏安扫描曲线 | 第46-47页 |
3.4.2 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的还原电位 | 第47-48页 |
3.4.3 反应时间和产物浓度的关系 | 第48-49页 |
3.5 本章小结 | 第49-50页 |
第四章 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的表征和实验机理 | 第50-72页 |
4.1 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的SEM,AFM,TEM和HRTEM | 第50-52页 |
4.2 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的XRD图谱和Raman图谱 | 第52-56页 |
4.3 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的XPS图谱 | 第56-59页 |
4.4 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的紫外可见吸收光谱 | 第59-60页 |
4.5 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的Mott-Schottky曲线 | 第60-62页 |
4.6 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的PL光谱分析 | 第62-63页 |
4.7 CuInS_2-CuFeO_2复合材料的交流阻抗实验 | 第63-66页 |
4.8 CuInS_2-CuFeO_2复合材料还原过程的吸附态中间体 | 第66-70页 |
4.9 本章小结 | 第70-72页 |
第五章 结论和建议 | 第72-74页 |
5.1 结论 | 第72页 |
5.2 建议 | 第72-74页 |
参考文献 | 第74-82页 |
致谢 | 第82-84页 |
作者及导师简介 | 第84-86页 |
附件 | 第86-87页 |