| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 1 前言 | 第8-20页 |
| 1.1 介电材料及其应用 | 第8-9页 |
| 1.1.1 动态存储器(DRAM) | 第8-9页 |
| 1.1.2 微波调谐器件 | 第9页 |
| 1.2 钙钛矿型氧化物 | 第9-10页 |
| 1.3 Ba_(1-x)Sr_xTiO_3介电材料 | 第10-12页 |
| 1.4 电极材料的选择 | 第12-14页 |
| 1.4.1 LaNiO_3电极材料 | 第12-13页 |
| 1.4.2 YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导氧化物电极材料 | 第13-14页 |
| 1.5 介电薄膜的制备 | 第14-18页 |
| 1.5.1 脉冲激光沉积技术的发展 | 第14页 |
| 1.5.2 脉冲激光沉积技术原理 | 第14-18页 |
| 1.6 研究内容及选题意义 | 第18-20页 |
| 2 实验方法 | 第20-28页 |
| 2.1 薄膜制备 | 第20-22页 |
| 2.1.1 沉积设备 | 第20-21页 |
| 2.1.2 实验步骤 | 第21-22页 |
| 2.2 分析检测 | 第22-28页 |
| 2.2.1 薄膜织构的检测 | 第22-24页 |
| 2.2.2 薄膜形貌的检测 | 第24页 |
| 2.2.3 底电极薄膜导电性能的检测 | 第24-25页 |
| 2.2.4 复合薄膜介电性能的检测 | 第25-28页 |
| 3 电极材料的制备 | 第28-42页 |
| 3.1 LaNiO_3薄膜的制备 | 第28-35页 |
| 3.1.1 氧气压力对LNO薄膜生长的影响 | 第28-30页 |
| 3.1.2 基片温度对LNO薄膜生长的影响 | 第30-31页 |
| 3.1.3 激光能量对LNO薄膜生长的影响 | 第31-33页 |
| 3.1.4 沉积时间对LNO薄膜生长的影响 | 第33-35页 |
| 3.2 YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导薄膜的制备 | 第35-41页 |
| 3.2.1 沉积温度对YBCO薄膜生长的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.2 氧气压力对YBCO薄膜生长的影响 | 第37-38页 |
| 3.2.3 激光频率对YBCO薄膜生长的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.4 沉积时间对YBCO薄膜生长的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 Si/LaNiO_3/Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3复合薄膜的制备 | 第42-52页 |
| 4.1 沉积气压对BST薄膜生长的影响 | 第42-45页 |
| 4.2 沉积温度对BST薄膜生长的影响 | 第45-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 5 LAO/YBa_2Cu_3O_(7-δ)/Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3复合薄膜的制备 | 第52-58页 |
| 5.1 沉积气压对BST薄膜生长的影响 | 第52-53页 |
| 5.2 沉积温度对BST薄膜生长的影响 | 第53-56页 |
| 5.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 6 结论 | 第58-60页 |
| 7 展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
