6500V IGBT设计及动态特性研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 功率器件的分类 | 第9-12页 |
| 1.2 IGBT的发展历程 | 第12-16页 |
| 1.3 IGBT的应用前景及选题意义 | 第16-17页 |
| 1.4 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 IGBT理论基础 | 第18-30页 |
| 2.1 IGBT的基本工作原理 | 第18-20页 |
| 2.2 IGBT的静态特性 | 第20-26页 |
| 2.2.1 IGBT的正向输出特性及等效模型 | 第20-23页 |
| 2.2.2 IGBT的阈值电压 | 第23-24页 |
| 2.2.3 IGBT的阻断特性及击穿电压 | 第24-25页 |
| 2.2.4 IGBT的饱和电流和闩锁效应 | 第25-26页 |
| 2.3 IGBT的动态特性 | 第26-29页 |
| 2.3.1 IGBT的开启过程 | 第26-27页 |
| 2.3.2 IGBT的关断过程 | 第27-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 6500V FS-IGBT设计与优化 | 第30-46页 |
| 3.1 工艺流程设计及材料选择 | 第31-36页 |
| 3.1.1 工艺流程设计 | 第31页 |
| 3.1.2 材料选择 | 第31-36页 |
| 3.2 静态参数的优化 | 第36-40页 |
| 3.2.1 N-buffer层对于器件耐压的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.2 P-well注入剂量 | 第38-39页 |
| 3.2.3 JFET注入剂量 | 第39页 |
| 3.2.4 栅极长度 | 第39-40页 |
| 3.3 结终端设计 | 第40-43页 |
| 3.4 流片测试及结果分析 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 FS-IGBT的动态特性研究 | 第46-60页 |
| 4.1 N-buffer层 | 第46-53页 |
| 4.1.1 注入剂量 | 第47-50页 |
| 4.1.2 推结时间 | 第50-53页 |
| 4.2 P-back注入剂量 | 第53-56页 |
| 4.3 漂移区少子寿命 | 第56-58页 |
| 4.4 器件导通特性与关断特性的折衷优值 | 第58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第60页 |
| 5.2 工作展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
