定晶向硅晶体电火花多次切割技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 半导体材料的发展与应用 | 第11-12页 |
| 1.2 单晶硅材料的特点及常用加工方式 | 第12-17页 |
| 1.2.1 单晶硅的特点 | 第12-13页 |
| 1.2.2 传统加工方式 | 第13-14页 |
| 1.2.3 先进加工方式 | 第14-15页 |
| 1.2.4 单晶硅电火花加工研究 | 第15-17页 |
| 1.3 单晶硅电火花定晶向切割 | 第17-20页 |
| 1.3.1 晶体方向检测及切割原理 | 第17-18页 |
| 1.3.2 定晶向电火花线切割原理 | 第18-20页 |
| 1.4 研究背景、意义及主要内容 | 第20-23页 |
| 1.4.1 课题研究背景及意义 | 第20-21页 |
| 1.4.2 课题主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 单晶硅多次切割实验系统 | 第23-31页 |
| 2.1 单晶硅电火花线切割实验及检测设备 | 第23-26页 |
| 2.1.1 电火花线切割机床 | 第23-24页 |
| 2.1.2 检测等其他设备 | 第24-26页 |
| 2.2 单晶硅线切割表面质量要求 | 第26页 |
| 2.3 单晶硅多次切割原理及要求 | 第26-30页 |
| 2.3.1 电火花多次切割技术原理 | 第26-27页 |
| 2.3.2 单晶硅电火花多次切割的要求 | 第27-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 单晶硅放电加工单脉冲蚀除过程 | 第31-46页 |
| 3.1 单晶硅单脉冲放电实验系统 | 第31-34页 |
| 3.2 实验条件及实验现象 | 第34-37页 |
| 3.2.1 实验条件 | 第34页 |
| 3.2.2 单脉冲放电坑表面形貌 | 第34-37页 |
| 3.3 单晶硅的三种蚀除方式 | 第37-43页 |
| 3.3.1 热蚀除 | 第37-41页 |
| 3.3.2 应力蚀除 | 第41-42页 |
| 3.3.3 二次破碎 | 第42-43页 |
| 3.4 半导体单晶硅放电蚀除过程 | 第43-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 单晶硅电火花表面质量分析及多次切割 | 第46-59页 |
| 4.1 不同能量单晶硅电火花线切割实验条件 | 第46页 |
| 4.2 不同能量对单晶硅加工表面质量的影响 | 第46-55页 |
| 4.2.1 不同能量对表面粗糙度的影响 | 第46-47页 |
| 4.2.2 不同能量对表面微观结构的影响 | 第47-51页 |
| 4.2.3 不同能量对表面变质层的影响 | 第51-55页 |
| 4.3 多次切割提高单晶硅线切割表面质量 | 第55-58页 |
| 4.3.1 多次切割修刀补偿值的设定 | 第55-56页 |
| 4.3.2 多次切割实验及其加工表面分析 | 第56-57页 |
| 4.3.3 复杂结构的多次切割 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 多次切割对定向切割的晶向影响 | 第59-70页 |
| 5.1 多次切割及表面处理对定晶向精度的影响 | 第59-64页 |
| 5.1.1 机床定晶向切割精度 | 第59页 |
| 5.1.2 多次切割对晶向精度的影响 | 第59-63页 |
| 5.1.3 后续表面处理对晶向精度的影响 | 第63-64页 |
| 5.2 大尺寸单晶硅的定晶向电火花多次切割 | 第64-69页 |
| 5.2.1 单晶硅的放电加工单向导通特性 | 第64-65页 |
| 5.2.2 进电端放电法制备欧姆接触 | 第65-66页 |
| 5.2.3 大尺寸单晶硅的定晶向电火花多次切割 | 第66-69页 |
| 5.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 本文完成的主要工作 | 第70-71页 |
| 6.2 后续研究工作展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第77页 |
