多孔硅发光稳定性的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-15页 |
| ·多孔硅的历史 | 第8-9页 |
| ·多孔硅光致发光追溯 | 第9-11页 |
| ·光致发光原理 | 第9页 |
| ·荧光分光光度计 | 第9-11页 |
| ·多孔硅的发光机理 | 第11-14页 |
| ·量子限制模型 | 第11-12页 |
| ·表面态模型 | 第12页 |
| ·量子限制-发光中心模型 | 第12页 |
| ·硅氧烯模型 | 第12-13页 |
| ·氢化非晶硅模型 | 第13页 |
| ·缺陷模型 | 第13页 |
| ·表面氢化物模型 | 第13-14页 |
| ·多孔硅发光强度及稳定性 | 第14页 |
| ·本课题研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 多孔硅的实验制备 | 第15-27页 |
| ·多孔硅制备方法 | 第15-18页 |
| ·阳极腐蚀法(Aodic Etching) | 第15-16页 |
| ·其他制备方法 | 第16-18页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第18-21页 |
| ·耗尽层与场强化模型 | 第18-19页 |
| ·载流子扩散模型 | 第19页 |
| ·量子限制模型 | 第19-20页 |
| ·多孔硅化学形成机制 | 第20-21页 |
| ·多孔硅性能 | 第21-23页 |
| ·多孔硅的微结构参数 | 第21-22页 |
| ·多孔硅的工艺参数 | 第22-23页 |
| ·多孔硅的制备 | 第23-27页 |
| ·实验材料 | 第23页 |
| ·制备装置 | 第23-24页 |
| ·硅片清洗 | 第24-25页 |
| ·制备条件对多孔硅发光的影响 | 第25-27页 |
| 第3章 多孔硅后处理的应用 | 第27-36页 |
| ·后处理方法 | 第27-29页 |
| ·氧化处理 | 第27页 |
| ·钝化处理 | 第27-28页 |
| ·超临界干燥处理 | 第28页 |
| ·本论文采用的后处理方法 | 第28-29页 |
| ·多孔硅后处理发光性能的研究 | 第29-36页 |
| ·阴极还原处理多孔硅的发光特性 | 第30-32页 |
| ·酸处理多孔硅的发光特性 | 第32-33页 |
| ·酸处理-阴极还原多孔硅的发光特性 | 第33-34页 |
| ·阴极还原-酸处理多孔硅的发光特性 | 第34-36页 |
| 第4章 多孔硅发光稳定性的提高 | 第36-46页 |
| ·多孔硅发光稳定性的研究 | 第36-45页 |
| ·多孔硅不同存放时间的发光变化 | 第36-40页 |
| ·PS表面不同位置的发光峰 | 第40-43页 |
| ·激发测试对PL谱的影响 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第5章 结论及展望 | 第46-48页 |
| ·结论 | 第46页 |
| ·进一步工作的方向 | 第46-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第53页 |
