基于CV和DLTS法的新型晶硅太阳电池材料缺陷态研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 晶硅光伏研究背景 | 第7-8页 |
| 1.2 深能级瞬态谱功能及原理 | 第8-16页 |
| 1.2.1 深能级瞬态谱(DLTS)测试技术 | 第8页 |
| 1.2.2 IVT特点及原理 | 第8-10页 |
| 1.2.3 CV特点及原理 | 第10-12页 |
| 1.2.4 DLTS特点及原理 | 第12-16页 |
| 1.3 本文研究内容和意义 | 第16-18页 |
| 第二章 MIS结构本征非晶硅薄膜表面缺陷态的研究 | 第18-31页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 实验及测试分析原理简介 | 第18-25页 |
| 2.2.1 样品结构设计及测试原理 | 第18-20页 |
| 2.2.2 实验方法 | 第20-21页 |
| 2.2.3 实验设备及原理 | 第21-25页 |
| 2.3 结果与分析 | 第25-30页 |
| 2.3.1 硅片样品的IV特性 | 第25-26页 |
| 2.3.2 硅片样品的CV特性 | 第26-27页 |
| 2.3.3 硅片样品的Qf和Dit研究 | 第27页 |
| 2.3.4 硅片样品的DLTS特性 | 第27-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 杂质中间带材料缺陷态的研究 | 第31-47页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 实验及测试分析原理简介 | 第31-36页 |
| 3.2.1 样品结构设计 | 第31-32页 |
| 3.2.2 材料制备方法 | 第32-33页 |
| 3.2.3 实验设备及原理 | 第33-36页 |
| 3.3 结果与分析 | 第36-46页 |
| 3.3.1 IB材料的SIMS分析 | 第36-37页 |
| 3.3.2 IB材料的少子寿命分析 | 第37页 |
| 3.3.3 IB材料的拉曼散射光谱分析 | 第37-38页 |
| 3.3.4 IB材料的IV特性 | 第38-39页 |
| 3.3.5 IB材料的CV特性 | 第39-40页 |
| 3.3.6 IB材料的DLTS特性 | 第40-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 总结 | 第47-49页 |
| 4.1 主要研究结论 | 第47页 |
| 4.2 本课题创新之处 | 第47-48页 |
| 4.3 展望 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第53页 |
