| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 课题来源、研究的目的及意义 | 第11-12页 |
| 1.1.1 课题来源 | 第11页 |
| 1.1.2 课题研究的意义及目的 | 第11-12页 |
| 1.2 ZnFe_2O_4 半导体材料的制备 | 第12-13页 |
| 1.2.1 溶胶-凝胶法 | 第12-13页 |
| 1.2.2 化学共沉淀法 | 第13页 |
| 1.2.3 微乳液法 | 第13页 |
| 1.2.4 水热法 | 第13页 |
| 1.3 ZnFe_2O_4 半导体材料的应用 | 第13-15页 |
| 1.3.1 磁性能 | 第13-14页 |
| 1.3.2 气敏性能 | 第14页 |
| 1.3.3 嵌锂电化学性能 | 第14页 |
| 1.3.4 光催化性能 | 第14-15页 |
| 1.4 ZnFe_2O_4 半导体材料光催化剂及其改性研究 | 第15-18页 |
| 1.4.1 半导体材料光催化机理 | 第15-16页 |
| 1.4.2 半导体光催化剂的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4.3 ZnFe_2O_4 光催化剂及其改性研究 | 第17-18页 |
| 1.5 本课题的研究的主要内容 | 第18-20页 |
| 第2章 实验材料及研究方法 | 第20-26页 |
| 2.1 实验药品及材料 | 第20-21页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第20页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第20-21页 |
| 2.2 实验装置及实验流程 | 第21-23页 |
| 2.2.1 实验流程 | 第21页 |
| 2.2.2 实验装置 | 第21-23页 |
| 2.2.3 实验步骤 | 第23页 |
| 2.3 样品表征方法 | 第23-25页 |
| 2.3.1 X射线衍射 (XRD) | 第23页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜和电子能谱 (SEM、EDAX) | 第23-24页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜(TEM、HRTEM) | 第24页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第24页 |
| 2.3.5 比表面积(BET) | 第24页 |
| 2.3.6 拉曼光谱 (Raman) | 第24页 |
| 2.3.7 紫外可见漫反射 (DRS) | 第24-25页 |
| 2.4 光催化性能测试 | 第25-26页 |
| 第3章 微纳枝状结构ZnFe_2O_4 的制备及表征 | 第26-42页 |
| 3.1 电还原条件对ZnFe_2O_4 组成和微观形貌的影响 | 第26-36页 |
| 3.1.1 电解液中的Zn~(2+)浓度的影响 | 第26-33页 |
| 3.1.2 电流密度的影响 | 第33-34页 |
| 3.1.3 电沉积时间的影响 | 第34-36页 |
| 3.2 热氧化工艺对ZnFe_2O_4 组成和微观形貌的影响 | 第36-40页 |
| 3.2.1 烧结温度的影响 | 第36-38页 |
| 3.2.2 烧结时间的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 烧结气氛的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 微纳枝状结构ZnFe_2O_4 的改性及表征 | 第42-59页 |
| 4.1 Zn/Fe合金制备ZnFe_2O_4/TiO_2 复合物 | 第42-44页 |
| 4.2 ZnFe_2O_4 制备ZnFe_2O_4/TiO_2 复合物 | 第44-55页 |
| 4.2.1 复合量对ZnFe_2O_4/TiO_2 复合物制备的影响 | 第44-52页 |
| 4.2.2 复合时间对ZnFe_2O_4/TiO_2 复合物制备的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.3 烧结温度对ZnFe_2O_4/TiO_2 复合物制备的影响 | 第53-55页 |
| 4.3 ZnFe_2O_4 的硫化改性 | 第55-58页 |
| 4.3.1 不同溶剂热温度硫化改性 | 第55-56页 |
| 4.3.2 不同含量的ZnFe_2O_4 的硫化改性 | 第56-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 ZnFe_2O_4 基材料光谱性质及光催化性能研究 | 第59-74页 |
| 5.1 电还原和热氧化条件对样品UV-Probe光谱的影响 | 第59-63页 |
| 5.1.1 Zn~(2+)比例变化对样品UV-Probe光谱的影响 | 第59页 |
| 5.1.2 电流密度对样品UV-Probe光谱的影响 | 第59-60页 |
| 5.1.3 电沉积时间对样品UV-Probe光谱的影响 | 第60-61页 |
| 5.1.4 烧结温度对样品UV-Probe光谱的影响 | 第61页 |
| 5.1.5 烧结时间对样品UV-Probe光谱的影响 | 第61-62页 |
| 5.1.6 烧结气氛对样品UV-Probe光谱的影响 | 第62-63页 |
| 5.2 TiO_2 改性复合物的UV-Probe光谱 | 第63-66页 |
| 5.2.1 Zn/Fe合金复合改性样品的UV-Probe光谱 | 第63-64页 |
| 5.2.2 ZnFe_2O_4 复合改性样品UV-Probe光谱 | 第64-66页 |
| 5.3 硫化改性ZnFe_2O_4 的UV-Probe光谱 | 第66-67页 |
| 5.3.1 不同溶剂热温度硫化改性的UV-Probe光谱 | 第66-67页 |
| 5.3.2 不同含量的ZnFe_2O_4 的硫化改性的UV-Probe光谱 | 第67页 |
| 5.4 ZnFe_2O_4 及改性产物的光催化性能 | 第67-73页 |
| 5.4.1 ZnFe_2O_4 的光催化制氢性能 | 第67-70页 |
| 5.4.2 ZnFe_2O_4 复合改性样品的光催化制氢性能 | 第70-71页 |
| 5.4.3 不同溶剂热温度硫化改性ZnFe_2O_4 的光催化制氢性能 | 第71-72页 |
| 5.4.4 ZnFe_2O_4 基材料光催化制氢过程分析 | 第72-73页 |
| 5.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-75页 |
| 展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
