| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第18-36页 |
| 1.1 超导简介和超导材料的发展过程 | 第18-21页 |
| 1.1.1 超导的基本性质 | 第18-19页 |
| 1.1.2 超导材料的发展过程 | 第19-21页 |
| 1.2 常规超导材料的理论介绍 | 第21-23页 |
| 1.2.1 二流体模型 | 第22页 |
| 1.2.2 伦敦方程 | 第22页 |
| 1.2.3 GL方程 | 第22页 |
| 1.2.4 BCS理论 | 第22-23页 |
| 1.3 电荷密度波 | 第23-29页 |
| 1.3.1 Peierls相变理论简介 | 第24页 |
| 1.3.2 Peierls相变的平均场描述 | 第24-27页 |
| 1.3.3 电荷密度波材料简介 | 第27-29页 |
| 1.4 ZrTe_(3-x)Se_x体系简介 | 第29-32页 |
| 1.5 重费米子非常规超导体 | 第32-35页 |
| 1.5.1 重费米子定义 | 第32页 |
| 1.5.2 CeCoIn_5简介 | 第32-33页 |
| 1.5.3 CeCoIn_5的ARPES研究 | 第33-35页 |
| 1.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第二章 角分辨光电子能谱原理及技术 | 第36-62页 |
| 2.1 角分辨光电子能谱的原理 | 第36-42页 |
| 2.1.1 角分辨光电子能谱的基本原理 | 第36-38页 |
| 2.1.2 光电子能谱的理论模型 | 第38-40页 |
| 2.1.3 单粒子谱函数 | 第40-41页 |
| 2.1.4 矩阵元效应 | 第41-42页 |
| 2.2 角分辨光电子能谱实验技术 | 第42-56页 |
| 2.2.1 光源 | 第42-45页 |
| 2.2.2 电子能量分析器 | 第45-51页 |
| 2.2.3 真空操作系统 | 第51-55页 |
| 2.2.4 低温技术和低温样品台 | 第55-56页 |
| 2.3 实验室角分辨光电子能谱仪简介 | 第56-60页 |
| 2.3.1 真空深紫外激光角分辨光电子能谱仪 | 第56-58页 |
| 2.3.2 飞行时间角分辨光电子能谱仪 | 第58-60页 |
| 2.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第三章 基于深紫外激光的大动量极低温光电子能谱仪的研制 | 第62-86页 |
| 3.1 研制背景 | 第62-64页 |
| 3.2 仪器设计与介绍 | 第64-78页 |
| 3.2.1 ~3He极低温冷台 | 第64-71页 |
| 3.2.2 光源 | 第71-73页 |
| 3.2.3 超高真空测试腔 | 第73-74页 |
| 3.2.4 样品传输中转腔 | 第74-75页 |
| 3.2.5 系统支撑部件 | 第75-76页 |
| 3.2.6 不锈钢丝退火去磁处理 | 第76-78页 |
| 3.3 研制过程 | 第78-80页 |
| 3.4 仪器初步测试 | 第80-84页 |
| 3.4.1 狭缝模拟测试 | 第80-81页 |
| 3.4.2 极低温冷台θ角马达测试 | 第81页 |
| 3.4.3 极低温冷台曲角轴心转动调试 | 第81-82页 |
| 3.4.4 Bi_2Se_3样品测试 | 第82-84页 |
| 3.5 本章小结 | 第84-86页 |
| 第四章 ZrTe_3材料的角分辨光电子能谱研究 | 第86-110页 |
| 4.1 研究背景 | 第86-88页 |
| 4.2 晶格结构和电阻曲线 | 第88-89页 |
| 4.3 实验条件和不同光子能量得到的费米面 | 第89-90页 |
| 4.4 准一维费米面D点区域的能带结构 | 第90-92页 |
| 4.5 准一维费米面B点区域的能带结构 | 第92-93页 |
| 4.6 三维费米面r点区域的能带结构 | 第93-108页 |
| 4.6.1 确定费米能级和定向费米面 | 第94-97页 |
| 4.6.2 能带结构与劈裂特征 | 第97-99页 |
| 4.6.3 散射率和费米速度的动量依赖研究 | 第99-102页 |
| 4.6.4 费米面间距的温度依赖关系 | 第102-105页 |
| 4.6.5 散射率的异常与电声子相互作用的直接观测 | 第105-108页 |
| 4.7 本章小结 | 第108-110页 |
| 第五章 ZrTe_(3-x)Se_x材料的角分辨光电子能谱研究 | 第110-128页 |
| 5.1 研究背景 | 第110-111页 |
| 5.2 电阻温度曲线测量 | 第111-112页 |
| 5.3 不同光子能量下的费米面结构 | 第112-113页 |
| 5.4 三维费米面Γ点区域的电子结构研究 | 第113-116页 |
| 5.4.1 三维费米面Γ点区域的电子结构 | 第113-114页 |
| 5.4.2 三维费米面区域的电子散射率随温度的变化 | 第114-116页 |
| 5.5 准一维费米面B点区域的电子结构 | 第116-121页 |
| 5.5.1 氦灯光源对B点处的能带结构研究 | 第116页 |
| 5.5.2 7eV和11eV激光光源对B点区域的能带结构研究 | 第116-119页 |
| 5.5.3 B点处能带随温度的依赖关系 | 第119-121页 |
| 5.6 准一维费米面的能带结构随动量空间的演化 | 第121-122页 |
| 5.7 准一维费米面D点区域的电子结构 | 第122-127页 |
| 5.7.1 氦灯光源对D点处的能带结构研究 | 第122-123页 |
| 5.7.2 11eV激光对D点区域的电荷密度特征的直接观测 | 第123-124页 |
| 5.7.3 D点处能带随温度的依赖关系 | 第124-127页 |
| 5.8 本章小结 | 第127-128页 |
| 第六章 重费米子CeCoIn_5材料的单晶生长以及MBE腔体研制 | 第128-134页 |
| 6.1 背景介绍 | 第128页 |
| 6.2 CeCoIn_5料的单晶生长和物性表征 | 第128-131页 |
| 6.2.1 原料与设备 | 第128-129页 |
| 6.2.2 生长流程与条件 | 第129-130页 |
| 6.2.3 物性表征 | 第130-131页 |
| 6.3 MBE超高真空腔体的设计和介绍 | 第131-133页 |
| 6.3.1 图纸设计 | 第131页 |
| 6.3.2 功能介绍 | 第131-133页 |
| 6.3.3 MBE-ARPES互连系统的中转腔设计 | 第133页 |
| 6.4 本章小结 | 第133-134页 |
| 第七章 总结和展望 | 第134-136页 |
| 参考文献 | 第136-150页 |
| 发表文章目录 | 第150-152页 |
| 个人简历 | 第152-153页 |
| 致谢 | 第153-154页 |
