摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
符号对照表 | 第15-18页 |
缩略语对照表 | 第18-22页 |
第一章 绪论 | 第22-32页 |
1.1 研究背景及意义 | 第22-26页 |
1.2 可重构固态等离子体天线的国内外研究现状 | 第26-30页 |
1.2.1 国外研究现状 | 第26-29页 |
1.2.2 国内研究现状 | 第29-30页 |
1.3 论文的主要工作及其章节安排 | 第30-32页 |
第二章 固态等离子体形成机制及电学特性 | 第32-46页 |
2.1 硅基横向SPiN的结构与工作机制 | 第32-37页 |
2.1.1 硅基横向SPiN二极管中载流子输运机制 | 第32-35页 |
2.1.2 SPiN的结构及其工作机制 | 第35-37页 |
2.2 硅基固态等离子体理论机制 | 第37-40页 |
2.2.1 固态等离子体理论机制 | 第37-38页 |
2.2.2 电介质极化机制 | 第38-40页 |
2.3 天线的微波特性 | 第40-44页 |
2.3.1 天线的电磁学理论 | 第40-42页 |
2.3.2 天线的关键特性参数 | 第42-44页 |
2.4 本章小结 | 第44-46页 |
第三章 天线辐射单元SPiN器件电学特性研究 | 第46-62页 |
3.1 SPiN二极管本征区载流子浓度一维分布模型 | 第46-56页 |
3.1.1 固态等离子体浓度一维分布模型 | 第46-52页 |
3.1.2 结果分析与讨论 | 第52-56页 |
3.2 辐射单元SPiN电学特性 | 第56-61页 |
3.2.1 SPiN二极管本征区载流子浓度分布影响因素 | 第56-59页 |
3.2.2 硅基横向SPiN二极管的优化设计 | 第59-61页 |
3.3 本章工作小结 | 第61-62页 |
第四章 硅基固态等离子体电导率与介电常数模型 | 第62-82页 |
4.1 硅基固态等离子体二维浓度分布模型 | 第62-69页 |
4.1.1 固态等离子体浓度二维分布模型 | 第62-66页 |
4.1.2 固态等离子体浓度二维分布仿真结果与分析 | 第66-69页 |
4.2 固态等离子体电导率模型 | 第69-74页 |
4.2.1 固态等离子体电导率 | 第70-71页 |
4.2.2 电磁波作用下的电导率模型 | 第71-72页 |
4.2.3 电导率模型仿真结果与分析 | 第72-74页 |
4.3 复介电常数模型 | 第74-77页 |
4.4 趋肤深度模型 | 第77-80页 |
4.5 本章小结 | 第80-82页 |
第五章 固态等离子体碰撞频率模型 | 第82-100页 |
5.1 载流子迁移率模型 | 第82-86页 |
5.1.1 电离杂质散射 | 第82-83页 |
5.1.2 晶格振动散射 | 第83-84页 |
5.1.3 载流子间散射 | 第84-85页 |
5.1.4 合金散射 | 第85-86页 |
5.2 同质SPiN二极管固态等离子体碰撞频率模型 | 第86-90页 |
5.2.1 同质SPiN二极管固态等离子体碰撞频率模型 | 第86-88页 |
5.2.2 仿真结果分析与讨论 | 第88-90页 |
5.3 异质SPiN二极管固态等离子体碰撞频率模型 | 第90-98页 |
5.3.1 异质SPiN二极管本征区固态等离子体浓度分布模型 | 第90-92页 |
5.3.2 异质二维浓度分布仿真结果分析与讨论 | 第92-94页 |
5.3.3 异质SPiN碰撞频率模型 | 第94-95页 |
5.3.4 异质碰撞频率模型仿真结果与分析 | 第95-98页 |
5.4 本章小结 | 第98-100页 |
第六章 硅基固态等离子体偶极子与全息可重构天线设计 | 第100-128页 |
6.1 硅基固态等离子体偶极子天线 | 第100-118页 |
6.1.1 硅基偶极子天线结构仿真优化 | 第100-109页 |
6.1.2 硅基偶极子天线工艺实现 | 第109-115页 |
6.1.3 硅基偶极子天线实物及测试 | 第115-118页 |
6.2 固态等离子体可重构全息天线 | 第118-126页 |
6.2.1 硅基环形全息天线的构建 | 第118-120页 |
6.2.2 硅基环形全息天线结构优化 | 第120-123页 |
6.2.3 硅基环形全息可重构天线仿真 | 第123-126页 |
6.3 本章小结 | 第126-128页 |
第七章 总结与展望 | 第128-132页 |
7.1 主要研究工作和创新性成果 | 第128-129页 |
7.2 对未来工作的进一步考虑 | 第129-132页 |
参考文献 | 第132-142页 |
致谢 | 第142-144页 |
作者简介 | 第144-146页 |