| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 铜纳米颗粒的研究概况 | 第10-11页 |
| 1.3 断键理论概述 | 第11-14页 |
| 1.3.1 断键的出现及其对能级的影响 | 第11-12页 |
| 1.3.2 表体比和低配位原子处势阱的修正 | 第12-14页 |
| 1.4 X 射线光电子能谱(XPS)与俄歇电子能谱(AES)的研究现状 | 第14-15页 |
| 1.5 能级偏移的研究现状 | 第15页 |
| 1.6 研究方法和研究难点 | 第15-16页 |
| 1.7 研究意义和内容安排 | 第16-18页 |
| 第二章 理论基础 | 第18-30页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 能带理论 | 第18-23页 |
| 2.2.1 近自由电子近似方法 | 第19-21页 |
| 2.2.2 紧束缚近似方法 | 第21-23页 |
| 2.3 断键理论(BOLS) | 第23-25页 |
| 2.3.1 断键理论的数学表达 | 第23-24页 |
| 2.3.2 纳米材料可测物理量的基本算法 | 第24-25页 |
| 2.4 XPS 与 AES | 第25-29页 |
| 2.4.1 XPS 和 AES 的基本原理 | 第25-28页 |
| 2.4.2 XPS 和 AES 中的能级标识 | 第28-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 铜纳米薄膜的能级偏移的解谱分析 | 第30-37页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 结合断键理论与 XPS 解谱 | 第30-32页 |
| 3.3 铜纳米薄膜 2p3/2各成份谱的能级偏移 | 第32-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 铜纳米颗粒能级偏移的尺寸效应 | 第37-48页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 铜纳米颗粒在基底上的生长 | 第37-39页 |
| 4.3 结合 BOLS 和 XPS 分析 Cu 2p3/2能级偏移的尺寸效应 | 第39-41页 |
| 4.3.1 能级偏移尺寸效应的理论预测 | 第39-40页 |
| 4.3.2 XPS 谱的差谱分析 | 第40-41页 |
| 4.4 利用 AES 分析能级偏移的尺寸效应 | 第41-47页 |
| 4.4.1 俄歇过程中的能量关系 | 第41-43页 |
| 4.4.2 AES 中 Cu 2p3/2能级和 3d5/2能级偏移的尺寸效应 | 第43-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-49页 |
| 5.1 全文总结 | 第48页 |
| 5.2 工作展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 硕士期间已公开发表的论文 | 第58页 |
