摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
1 绪论 | 第10-28页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 相变存储器的原理 | 第11-12页 |
1.3 相变存储器的应用 | 第12-14页 |
1.4 相变材料的电特性和相变特性 | 第14-17页 |
1.5 相变存储器热学研究方法 | 第17-19页 |
1.6 相变存储器的器件结构 | 第19-21页 |
1.7 相变存储器的结构优化 | 第21-23页 |
1.8 相变存储器的制备工艺 | 第23-25页 |
1.9 相变存储器的研究难点 | 第25-26页 |
1.10 本文研究内容 | 第26-28页 |
2 T型结构相变存储器阵列及芯片的后集成工艺 | 第28-62页 |
2.1 T型相变存储器单元的制备 | 第28-41页 |
2.2 相变存储器芯片的后集成工艺 | 第41-48页 |
2.3 相变存储器性能测试规范 | 第48-53页 |
2.4 相变存储单元及芯片性能测试 | 第53-59页 |
2.5 芯片后集成工艺中的难点及解决方案 | 第59-60页 |
2.6 与传统工艺对比的优势 | 第60页 |
2.7 本章小结 | 第60-62页 |
3 相变存储器有限元模型及3D模拟 | 第62-82页 |
3.1 有限元分析概述及软件 | 第62页 |
3.2 相变存储器的有限元模型 | 第62-64页 |
3.3 T型相变存储单元的建模及求解 | 第64-67页 |
3.4 结构参数对相变存储器性能的影响 | 第67-69页 |
3.5 相变存储器热串扰及器件结构优化 | 第69-74页 |
3.6 相变存储器的非对称结构 | 第74-81页 |
3.7 本章小结 | 第81-82页 |
4 基于角度蒸发的不受限于光刻精度的相变存储器工艺 | 第82-96页 |
4.1 相变存储器的数据存储方式及性能提升方式 | 第82-83页 |
4.2 角度蒸发的原理 | 第83-86页 |
4.3 基于角度蒸发的线型相变存储器工艺流程设计 | 第86-89页 |
4.4 测试结果及讨论 | 第89-91页 |
4.5 新工艺制备的相变存储单元的热性能分析 | 第91-94页 |
4.6 本章小结 | 第94-96页 |
5 全文总结及展望 | 第96-98页 |
5.1 总结 | 第96-97页 |
5.2 工作展望 | 第97-98页 |
致谢 | 第98-99页 |
参考文献 | 第99-107页 |
附录攻读博士期间发表的论文目录 | 第107页 |